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J-GLOBAL ID：201702234613180430   整理番号：17A0402894

シリコンnanowires/g C_3N_4コア/シェルアレイの作製と光電気化学的性質【Powered by NICT】

Fabrication and photoelectrochemical properties of silicon nanowires/g-C₃N₄ core/shell arrays

著者 (12件)： Chen Zhen (Institute of Electronic Paper Displays, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, Guangdong Province, China) ,  Chen Zhen (Institute of Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, Guangdong Province, China) ,  Ma Ge (Institute of Electronic Paper Displays, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, Guangdong Province, China) ,  Chen Zhihong (Shenyang Institute of Automation, Guangzhou, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 511458, China) ,  Zhang Yongguang (Research Institute for Energy Equipment Materials, Tianjin Key Laboratory of Materials Laminating Fabrication and Interface Control Technology, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China) ,  Zhang Zhe (Institute of Electronic Paper Displays, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, Guangdong Province, China) ,  Gao Jinwei (Institute of Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, Guangdong Province, China) ,  Meng Qingguo (Shenyang Institute of Automation, Guangzhou, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 511458, China) ,  Yuan Mingzhe (Shenyang Institute of Automation, Guangzhou, Chinese Academy of Sciences, Guangzhou 511458, China) ,  Wang Xin (Institute of Electronic Paper Displays, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, Guangdong Province, China) ,  Liu Jun-ming (Institute of Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, Guangdong Province, China) ,  Zhou Guofu (Institute of Electronic Paper Displays, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, Guangdong Province, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 609-615  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属を含まない窒化炭素(g C_3N_4)@siliconnanowire(Si NW)アレイ(Si NWs/g C_3N_4)で作られた光電気化学(PEC)セルを本研究で提示した。g C_3N_4の異なる質量含有量で調製した光電極は金属触媒無電解エッチング(MCEE),液体原子層堆積(LALD)およびアニーリング法によって合成した。Si NWアレイに対するg C_3N_4の量はLALD法に用いられるシアナミド溶液の濃度を調整することによって制御することができた。これら密に垂直整列したSi NWs/g C_3N_4コア/シェルナノ構造を走査電子顕微鏡(SEM),透過型電子顕微鏡(TEM),およびX線回折(XRD)によって特性化した。FTO/g C_3N_4とSiNW試料と比較して,Si NWs/g C_3N_4試料は,全電位走査範囲で著しく増強された光電流を示した。電気化学インピーダンス分光法(EIS)は,電荷移動過程の特性を調べるために行い,その結果は,強化されたPEC性能は,Si NWとg C_3N_4間の増大した光発生界面電荷移動に起因する可能性があることを示した。光電流密度は,中性Na_2SO_4溶液(pH~7.62)の0V(vs. Pt)で100mW/cm~2(AM 1.5G)照射下で45μA/cm~2に達した。最後に,Si NWs/g C_3N_4の系統的PEC機構を提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  ナノ構造 ,  *光電気化学 ,  光電流 ,  光電極 ,  電流密度 ,  シミュレーテッドアニーリング ,  走査電子顕微鏡 ,  シアナミド ,  電荷移動
準シソーラス用語： 電気化学インピーダンス分光法 ,  垂直配向 ,  無電解エッチング ,  窒化炭素 ,  *電気化学的特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： PEC ,  シリコンnanowire/g C_3N_4コア/シェルアレイ ,  水分裂

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  コア ,  シェル ,  アレイ ,  作製 ,  電気化学的性質