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J-GLOBAL ID:201702234753260928   整理番号:17A0703421

2不純物エネルギー準位調節Ag_1 xCd_xIn_5Se_8の増強された熱電性能をもたらす【Powered by NICT】

Two impurity energy level regulation leads to enhanced thermoelectric performance of Ag1-xCdxIn5Se8
著者 (8件):
資料名:
巻:号: 21  ページ: 12719-12725  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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四面体結合したダイヤモンド状化合物AgIn_5Se_8はその本質的に低い熱伝導率のため有望な熱電材料であることが分かった。元AgIn_5Se_8化合物については,しかしながら,劣った電気的特性は一般的に限定されたzT値をもたらし,その広いバンドギャップのために,最大1.1eVであった。ここでは,迅速かつ簡便な固相反応法によりAgIn_5Se_8化合物の合成について報告した。さらに,二不純物エネルギー準位はAg~+格子サイトでのCd~2+イオンを組み込むことでこれらのドープした試料で調節されている電子濃度は劇的に増加し,大きく増強された電気伝導率,全温度範囲にわたっての熱電出力係数に帰着する。本質的に低い格子熱伝導率と組み合わせて,x=0~0.05のCdをドープしたAg_1 xCd_xIn_5Se_8は883Kで0.63の最も高いzT値に達し,良好元AgIn_5Se_8のそれと比較して40%向上した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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熱電デバイス 
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