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J-GLOBAL ID：201702234886641775   整理番号：17A0656987

Cu/ZrO2/Ptデバイスの揮発性から不揮発性の制御可能な抵抗スイッチング変換と導電フィラメントエンジニアリング

Controllable volatile to nonvolatile resistive switching conversion and conductive filaments engineering in Cu/ZrO₂/Pt devices

著者 (4件)： DU Gang (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN) ,  LI Hongxia (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN) ,  MAO Qinan (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN) ,  JI Zhenguo (Hangzhou Dianzi Univ., Hangzhou, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 49  号： 44  ページ： 445105,1-7  発行年： 2016年11月09日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu/ZrO₂/Pt電気化学メタライジングセルにおける揮発性および不揮発性抵抗スイッチング特性の変換を電流コンプライアンス(I_CC)制御することによって実証した。電気的な測定では,I_CCが低いときには,原子スケールの直径を有する一つのCFのみが形成されたが,この小さなCFは不安定であり,印加電圧がゼロに低下したときに自発的に消滅し典型的な揮発性を示した。I_CCが中程度の値(1mA)に増加すると,CFの径方向成長が生じて量子コンダクタンス現象を有する部分的な揮発挙動を観測した。さらに,I_CCが10mAの十分大きな場合,ロバストな複数のCFが形成され完全に不揮発性スイッチング挙動が支配的になった。本研究は高密度ストレージおよびニューロモルフィック応用への揮発性および不揮発性特性を実現するためにスイッチング動力学を変調する可能性を実証した。

シソーラス用語： *スイッチング ,  *電気抵抗 ,  *フィラメント ,  白金電極 ,  銅 ,  酸化ジルコニウム ,  揮発性 ,  非揮発性 ,  電流 ,  MIM構造
準シソーラス用語： 揮発性抵抗スイッチング ,  *抵抗スイッチング ,  電流コンプライアンス ,  *導電性フィラメント ,  銅電極 ,  不揮発性抵抗スイッチング

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cu ,  ZrO2 ,  Pt ,  揮発性 ,  不揮発性 ,  抵抗スイッチング ,  導電フィラメント ,  エンジニアリング