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J-GLOBAL ID：201702234954199740   整理番号：17A0445127

蒸着Cu_2SnS_3およびZnS層の硫化により得られたCu_2ZnSnS_4薄膜三成分前駆体特性の影響【Powered by NICT】

Cu₂ZnSnS₄ thin films obtained by sulfurization of evaporated Cu₂SnS₃ and ZnS layers: Influence of the ternary precursor features

著者 (4件)： Robles V. (Departamento de Energia (CIEMAT), Avda. Complutense 40, Madrid-28040, Spain) ,  Guillen C. (Departamento de Energia (CIEMAT), Avda. Complutense 40, Madrid-28040, Spain) ,  Trigo J.F. (Departamento de Energia (CIEMAT), Avda. Complutense 40, Madrid-28040, Spain) ,  Herrero J. (Departamento de Energia (CIEMAT), Avda. Complutense 40, Madrid-28040, Spain)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 400  ページ： 220-226  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜をガラス基板上に蒸着したCu_2SnS_3(CTS)とZnS層の硫化により成長させた。四CTS前駆体膜は,200°Cで基板を維持することにより堆積した類似ZnS層と共に,二つの異なる原子組成(Cu/Sn=1.7およびCu/Sn=2.1)と基板温度(350および450°C)で,試験した。CTSとZnS積層の硫化は1時間,500°Cで行った。CZTS化合物への結晶構造,形態,各CTS前駆体から光学的および電気的特性の変化を調べ,特に四元膜特性に及ぼす三元前駆体特性の影響した。黄錫亜鉛鉱構造は種々の試料の硫化後に同定され,主な(112)配向及び平均微結晶サイズを持つS_112 2n=40 56nm,Cuの少ない組成で高かった。CZTS平均粗さは広い間隔R_a n=8 66nmで変化し,CTS前駆体層,より高い蒸着温度またはCu含有量のための粗くなるに直接関連している。に加えて,バンドギャップエネルギーとCZTS膜の電気抵抗率は範囲E_g=1.54 1 0.64eVおよび0.2 40Ωcmに変化し,Cu含有量および/または表面粗さが増加すると減少した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *硫化亜鉛 ,  微結晶 ,  基板温度 ,  電気抵抗率 ,  *スズ ,  *薄膜 ,  亜鉛鉱 ,  *前駆体 ,  結晶構造 ,  *蒸着 ,  *硫化
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  蒸着温度 ,  CZTS ,  ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Semiconductors ,  薄膜 ,  蒸着 ,  表面粗さ ,  光学的性質

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 蒸着 ,  ZnS ,  硫化 ,  薄膜 ,  前駆体