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J-GLOBAL ID：201702235148056044   整理番号：17A0047750

記憶保持を意識したマルチレベルセルの相変化メモリのプログラム評価基準

A Retention-Aware Multilevel Cell Phase Change Memory Program Evaluation Metric

著者 (11件)： Khwa Win-San (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Chang Meng-Fan (National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wu Jau-Yi (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Lee Ming-Hsiu (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Su Tzu-Hsiang (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Wang Tien-Yen (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Li Hsiang-Pang (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  BrightSky Matthew (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Kim SangBum (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Lung Hsiang-Lan (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Lam Chung (IBM T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 11  ページ： 1422-1425  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マルチレベルセル(MLC)相変化メモリ(PCM)は,スケーラビリティ,ビット変更可能性,不揮発性,および高いプログラムスピードにおいて多くの潜在的利点を提供する。多くのプログラム方式が提案されているが,それらは通常,エネルギー,遅延,またはエネルギー遅延積(EDP)で評価されていた。しかし,これらの基準では,MLC PCMの抵抗ドリフト(Rドリフト)現象によるデータ保全維持(DIM)のオーバヘッドがよく見過ごされていた。本論文では,プログラムのメンテナンス(PM)基準を提案し,それは,DIMを考慮してEDP基準を変更したものであった。更に,反復プログラム検証方式において,様々なパルス形状のPM基準を評価した。128MセルのMLC PCMチップの測定データから,最適化したパルス形状のPM基準は,従来のSETおよびRESETパルス形状の86.7%までのものより良好であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *水準 ,  *記憶素子 ,  *評価基準 ,  計画 ,  ドリフト ,  完全性 ,  間接費
準シソーラス用語： オーバヘッド ,  データ保全性 ,  プログラム ,  *マルチレベル ,  *メモリセル ,  *相変化メモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 記憶保持 ,  意識 ,  マルチレベル ,  セル ,  相変化メモリ ,  評価基準