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J-GLOBAL ID:201702237848883716   整理番号:17A0448472

RFスパッタSnO_2室温で動作可能なサブppm H_2SセンサとしてのNiO薄膜【Powered by NICT】

RF sputtered SnO2: NiO thin films as sub-ppm H2S sensor operable at room temperature
著者 (9件):
資料名:
巻: 242  ページ: 389-403  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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RFスパッタSnO_2:NiO薄膜に基づく室温サブppm H_2Sセンサを実証した。SnO_2薄膜をNiOの超薄層(30nm)で修飾した。これらの膜を走査電子顕微鏡(SEM),X線回折(XRD)およびX線光電子分光法(XPS)を用いて特性化した。これらの膜のガス感知特性は純粋なSnO_2とNiO膜のそれと比較した。センシング調査が,これらの膜は室温でH_2Sに非常に敏感であることを明らかにした。NiO修飾SnO_2膜によって示されたセンサ応答で,純粋なSnO_2とNiO膜が示すものよりも9および415倍大きかった。SnO_2:NiOの場合にセンサ応答は二つの異なる機構からの寄与-(i)吸着酸素とH_2Sの間の酸化反応及び(ii)金属硫化ニッケル(NiOおよびH_2S間の化学反応の生成物)への酸化ニッケルの変換に起因したp n接合の破壊によるものであった。S2p_3/2とS2p_1/2に対応する~163eVの結合エネルギー,H_2S曝露でXPS硫化物ピークの存在は,硫化ニッケルの形成を確認した。本実験はH_2Sすなわち当たり十億部品の低濃度を検出再現性へのこれらの膜の能力を証明した。これらの膜は,長期間安定であり,センサの商業的実現性を示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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