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J-GLOBAL ID:201702238081600454   整理番号:17A0181214

8」Si基板上のAlGaInP多重量子井戸と発光ダイオードのエピタクシーとウエハボンディング【Powered by NICT】

Epitaxy and wafer bonding of AlGalnP multiple-quantum wells and light-emitting diodes on 8” Si substrates
著者 (8件):
資料名:
巻: 2016  号: IPC  ページ: 791-792  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Si基板上への直接バンドギャップIII-V半導体の統合は,効率的な発光素子を実現することが可能で,光源を必要とする多くのアプリケーションが利益を得るであろう,照明,ディスプレイ,フォトニック集積回路(PIC),およびオンチップ光通信など。GaAsと格子整合したAlGaInPは黄緑色光に赤色を放出し,組成に依存して,効率的な発光材料である。を市販の赤色および黄色-緑色発光ダイオード(LED)のための広く用いられている。Si基板上のAlGaInPを統合するために,しかし,残りの多くの課題,エピタクシー成長と統合処理した。8」Si基板上のAlGaInP材料のエピタクシーとウエハボンディングに関する著者らの研究を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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発光素子 

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