文献

J-GLOBAL ID：201702238231468466   整理番号：17A0850847

反応性パルスレーザ蒸着した二酸化バナジウム薄膜に及ぼすガンマ線照射の影響【Powered by NICT】

Effects of gamma irradiations on reactive pulsed laser deposited vanadium dioxide thin films

著者 (15件)： Madiba I.G. (UNESCO-UNISA Africa Chair in Nanosciences/Nanotechnology, College of Graduate Studies, University of South Africa (UNISA), Muckleneuk Ridge, P O Box 392, Pretoria, South Africa) ,  Madiba I.G. (Empa, Swiss Federal Laboratories Materials Science and Technology, CH-8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Emond N. (Institut National de la Recherche Scientifique (INRS),1650 Blvd. Lionel-Boulet, Varennes, Quebec J3X1S2, Canada) ,  Chaker M. (Institut National de la Recherche Scientifique (INRS),1650 Blvd. Lionel-Boulet, Varennes, Quebec J3X1S2, Canada) ,  Thema F.T. (UNESCO-UNISA Africa Chair in Nanosciences/Nanotechnology, College of Graduate Studies, University of South Africa (UNISA), Muckleneuk Ridge, P O Box 392, Pretoria, South Africa) ,  Thema F.T. (iThemba LABS-National Research Foundation, 1 Old Faure Road, Somerset West 7129, PO Box 722, Somerset West, Western Cape Province, South Africa) ,  Tadadjeu S.I. (iThemba LABS-National Research Foundation, 1 Old Faure Road, Somerset West 7129, PO Box 722, Somerset West, Western Cape Province, South Africa) ,  Tadadjeu S.I. (Department of Electrical, Electronics and Computer Engineering, French South African Institute of Technology/Cape Peninsula University of Technology, Bellville campus, PO Box 1906, Bellville, 7530, South Africa) ,  Muller U. (Empa, Swiss Federal Laboratories Materials Science and Technology, CH-8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Zolliker P. (Empa, Swiss Federal Laboratories Materials Science and Technology, CH-8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Braun A. (ETH Zurich, Swiss Federal Institute of Technology, CH-8057, Zurich, Switzerland) ,  Braun A. (Empa, Swiss Federal Laboratories Materials Science and Technology, CH-8600 Duebendorf, Switzerland) ,  Kotsedi L. (iThemba LABS-National Research Foundation, 1 Old Faure Road, Somerset West 7129, PO Box 722, Somerset West, Western Cape Province, South Africa) ,  Maaza M. (UNESCO-UNISA Africa Chair in Nanosciences/Nanotechnology, College of Graduate Studies, University of South Africa (UNISA), Muckleneuk Ridge, P O Box 392, Pretoria, South Africa) ,  Maaza M. (iThemba LABS-National Research Foundation, 1 Old Faure Road, Somerset West 7129, PO Box 722, Somerset West, Western Cape Province, South Africa)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 411  ページ： 271-278  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化バナジウム膜をそれらのサーモクロミック特性のために,小さな宇宙機の熱保護コーティングのような種々の応用のための適切な皮膜と考えられている。が宇宙空間において,このような被覆はγ線を含む宇宙線にさらされる。被覆特性に及ぼすこれらのγ線の影響を調べるために,著者らはシリコン基板上に二酸化バナジウム(VO_2)膜を堆積し,宇宙ミッションで遭遇する典型的な線量で広範なγ線照射を行った。照射後に,流行している結晶相は単斜晶VO_2相のままであるが,膜の優先配向は照射によって引起される無秩序領域の存在のために低角度側にシフトした。Raman分光測定も,VO_2構造はγ線照射によりわずかに影響されることを証明した。,ガンマ線線量の増加局所V-V二量体間距離,にVO_2金属相の存在を有利に修飾することにより膜の結晶構造と電子構造を変化させる。V2p及びO1s内殻準位スペクトルのXPS測定から,V~5+に対するV~4+からのバナジウムの酸化を明らかにした。データは,価電子バンド中のFermiエネルギー近くの低酸化状態ピークの消失によって確証された照射によるヒドロキシル化を明らかにした。著者らの観察は,ガンマ線はFrenkel対の形成を誘導することを示唆する。さらに,THz透過測定はVO_2の長距離構造は照射後無傷であったが,電気的測定は,被覆抵抗率はガンマ線照射で減少することを示し,それらの転移温度は高ガンマ線線量でわずかに減少することを示した。ガンマ線は宇宙環境で遭遇する放射線の源の一つであるにもかかわらず,これらの結果は,宇宙飛行体の保護被覆のようなVO_2膜の統合の可能性に関して非常に有望である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： γ線 ,  電子構造 ,  被覆 ,  転移温度 ,  *γ線照射 ,  単斜晶系 ,  *酸化バナジウム ,  スペクトル ,  *薄膜 ,  結晶構造 ,  放射線量 ,  電気抵抗率 ,  *バナジウム ,  Raman分光法
準シソーラス用語： *二酸化バナジウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二酸化バナジウム ,  サーモクロミック ,  照射 ,  ガンマ線 ,  熱遮蔽

分類 (2件)： 放射線高分子化学  (CG03050S) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性 ,  パルスレーザ蒸着 ,  二酸化バナジウム ,  薄膜 ,  ガンマ線照射