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J-GLOBAL ID：201702240521394760   整理番号：17A0237902

単層カーボンナノチューブネットワークの2層堆積をベースにした3次元フレキシブル相補型金属酸化膜半導体論理回路

Three-Dimensional Flexible Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Logic Circuits Based On Two-Layer Stacks of Single-Walled Carbon Nanotube Networks

著者 (16件)： ZHAO Yudan (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  ZHAO Yudan (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  LI Qunqing (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  LI Qunqing (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  XIAO Xiaoyang (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  XIAO Xiaoyang (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  LI Guanhong (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  LI Guanhong (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  JIN Yuanhao (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  JIN Yuanhao (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  JIANG Kaili (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  JIANG Kaili (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  WANG Jiaping (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  WANG Jiaping (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN) ,  FAN Shoushan (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  FAN Shoushan (Collaborative Innovation Center of Quantum Matter, Beijing, CHN)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 10  号： 2  ページ： 2193-2202  発行年： 2016年02月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D構造をベースに,安定で再製作可能なフレキシブルなCNT-TFT CMOS集積回路を製作した。CNT-TFTの2層デバイスを堆積し,ここで,1層はn型デバイスとして作動し,もう1つはp型として作動した。トップゲートで調節した誘電体層として窒化ケイ素薄膜を堆積し,n型CNT-TFTを実現した。p型CNT-TFTをn型デバイスの上に置いて,露光したチャネルCNTを使ってバックゲートした。ある程度までは,この製造プロセスが,液体有機ポリマに関する流動性と揮発性,及び小形の誘電体層のリフトオフに対する無力のような,SWCNTベースのCMOS集積に関連する主な問題に対処できる。この手法はインバータの構築に必要な面積の半分以上を省くことが可能で,n型TFT性能を改良できた。

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  薄膜トランジスタ ,  単層カーボンナノチューブ ,  三次元 ,  *CMOS ,  素子構造 ,  窒化ケイ素 ,  *論理回路
準シソーラス用語： CMOS論理回路 ,  *CNT【炭素】 ,  SWCNT ,  TFT【トランジスタ】 ,  トップゲート ,  バックゲート ,  *相補型金属酸化膜半導体 ,  単層CNT

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層カーボンナノチューブ ,  2層 ,  堆積 ,  3次元 ,  相補型金属酸化膜半導体 ,  論理回路