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J-GLOBAL ID：201702240684641604   整理番号：17A0095746

ゾル-ゲル法により,ZNドープTIO_2薄膜のキャラクタリゼーションと光電気化学的挙動を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Characterization and photoelectrochemical performance of Zn-doped TiO_2 films by sol-gel method

著者 (6件)： Qiao Liying (College of Materials Science and Engineering, Chongqing University) ,  Xie Fengyu (College of Chemistry and Materials Science, Sichuan Normal University) ,  Xie Minghui (College of Materials Science and Engineering, Chongqing University) ,  Gong Caihua (College of Materials Science and Engineering, Chongqing University) ,  Wang Weilang (College of Materials Science and Engineering, Chongqing University) ,  Gao Jiacheng (College of Materials Science and Engineering, Chongqing University)
資料名： Transactions of Nonferrous Metals Society of China  (Transactions of Nonferrous Metals Society of China)
巻： 26  号： 8  ページ： 2109-2116  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0396A  ISSN： 1003-6326  CODEN： TNMCEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZNドープTIO_2薄膜(ZN-TIO_2)をゾル-ゲル法により純チタン基板上に調製し,ナノTIO_2薄膜の物理的性質,光化学的性質及び光電気化学的性質に及ぼすZNドーピングの影響を調べた。結果は,ZNドーピングがZN-TIO_2薄膜の光電気化学的応答を増加させ,300°Cで熱処理した膜の電極電位を最大値に低下させ,897MVを低下させることを示した。SEM-EDSの結果は,ZNがドープした膜の不均一分布を示し,XRDの結果は,ZNドープした膜のほうが未ドープのものよりも小さいことを示した。赤外スペクトルの結果は,TIO_2結晶の表面にZN-O結合が生成することを示した。紫外スペクトルは,ZNドーピングがZN-TIO_2を吸収し,TIO_2の光応答範囲を拡大することを示した。MOTT-SHOTTKY曲線によると,ZN-TIO_2薄膜は純粋なTIO_2薄膜よりもフラットバンド電位がより大きく,キャリア量がより大きい。これらの結果は,300°Cで熱処理したZN-TIO_2薄膜が,フラットバンド電位,負荷電荷,および空間電荷電場の相乗効果の下で最良の光電気化学的応答を示すことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電極電位 ,  *ドーピング ,  *薄膜 ,  空間電荷 ,  紫外スペクトル ,  X線回折 ,  *キャラクタリゼーション ,  *光電気化学 ,  *ゾル-ゲル法 ,  負電荷 ,  赤外スペクトル ,  *電気化学的挙動 ,  相乗作用
準シソーラス用語： フラットバンド ,  光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： TiO_2 films ,  Zn-doping ,  photocathodic protection ,  photoelectrochemical activity ,  sol-gel method

分類 (9件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  有機第4族・有機第5族元素化合物  (CF09054V) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  気体燃料の精製  (YE02050B) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  応用物理化学的操作・装置  (XE03000E)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゾル ,  ゲル ,  Zn ,  ドープ ,  薄膜 ,  キャラクタリゼーション ,  電気化学的挙動 ,  研究