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J-GLOBAL ID:201702240754920803   整理番号:17A0471035

Nb_2O_5酸化物の導入によるSnO_2~-Zn_2SnO_4セラミック複合材料の電気的性質に及ぼす酸素空格子点の役割【Powered by NICT】

Role of oxygen vacancy on the electrical properties of SnO2-Zn2SnO4 ceramic composites with the introduction of Nb2O5 oxide
著者 (4件):
資料名:
巻: 194  ページ: 238-241  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0935A  ISSN: 0167-577X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,伝統的に調製したSnO_2~-Zn_2SnO_4セラミック複合材料の電気的性質に及ぼす酸素空格子点の役割はNb_2O_5酸化物を導入することにより評価した。Nb_2O_5含有量が増加すると,低周波数で測定した破壊電場E_1.0と比誘電率ε_Rが増加すると減少した。ミクロ組織写真では,粒径は減少した飽和点に到達させた。さらに,Nbはランダム結晶粒と結晶粒界に沿って分布していた。Nb_2O_5ドーピングによって,焼結した試料の色は暗色化し,F型色中心が生成した。複素電気係数スペクトルでは,虚数部M′′のピークは低周波数側にシフトした;が,活性化エネルギーEはNb_2O_5含有量の増加に伴ってわずかに変化した。結果は,酸素空格子点がSnO_2~-Zn_2SnO_4セラミック複合材料のバリスタ及び高誘電率特性の起源であることを示唆する。さらに,バリスタと誘電特性を微細構造の変化により調節される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (4件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  誘電体一般  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  塩基,金属酸化物 
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