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J-GLOBAL ID：201702243012463806   整理番号：17A0162558

ダイヤモンド基板のGAN HEMTの研究進展【JST・京大機械翻訳】

The Research Progress of GaN-on-diamond HEMTs

著者 (3件)： Chen Tangsheng (Nanjing Electronic Devices Institute, Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory) ,  Kong Yuechan (Nanjing Electronic Devices Institute, Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory) ,  Wu Lishu (Nanjing Electronic Devices Institute, Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 36  号： 5  ページ： 360-364  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SIC基質GAN高電子移動度トランジスタ(HEMT)はALGAN/GANヘテロ接合の優れた輸送特性とSIC基板の高熱伝導性能を統合し、高周波、広帯域、高効率、高出力応用領域において顕著な性能を示した。しかし,GANのエピタキシャル材料には高密度の欠陥が存在し,伝導チャネルの放熱に影響を及ぼし,熱放散問題は の性能に影響を及ぼす主な障害になる。本論文では、GANエピタキシャル材料の高欠陥密度の形成原因を分析し、近年の海外で展開されている転移技術に基づくダイヤモンド技術を紹介し、 の放熱問題を解決する研究の進展を紹介した。研究結果によると、転移技術に基づくダイヤモンド基板の は、SIC基板の に次ぐ次世代固体マイクロ波パワーデバイスの主導的なデバイス技術になることが期待される。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： マイクロ波 ,  *HEMT ,  熱放射 ,  HF【周波数】 ,  エピタクシー ,  ヘテロ接合 ,  欠陥密度 ,  広帯域 ,  *ダイヤモンド
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  高密度 ,  高出力 ,  高効率 ,  熱伝導性 ,  輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  high electron mobility transistor (HEMT) ,  diamond ,  transfer technology

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ダイヤモンド基板 ,  GaN ,  HEMT ,  研究 ,  進展