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J-GLOBAL ID：201702243750296681   整理番号：17A0829144

RRAMコンピューティングシステムのための計算指向フォールトトレランス方式【Powered by NICT】

Computation-oriented fault-tolerance schemes for RRAM computing systems

著者 (10件)： Huangfu Wenqin (Dept. of E.E., Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Xia Lixue (Dept. of E.E., Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Cheng Ming (Dept. of E.E., Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Yin Xiling (Dept. of E.E., Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Tang Tianqi (Dept. of E.E., Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Li Boxun (Dept. of E.E., Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Chakrabarty Krishnendu (Department of Electrical and Computer Engineering, Duke University, USA) ,  Xie Yuan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, USA) ,  Wang Yu (Dept. of E.E., Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing, China) ,  Yang Huazhong (Dept. of E.E., Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology (TNList), Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ASP-DAC  ページ： 794-799  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新たな金属酸化物抵抗スイッチングランダムアクセスメモリ(RRAM)素子とRRAMクロスバーアレイは,アナログ行列ベクトル乗算の速度とエネルギー効率を大きくにおけるそれらの可能性を実証した。残念なことに,未成熟製造技術のために,一般的に発生するスタックで断層(SAF)はRRAMクロスバーベース計算システム(RCS)の計算精度に大きく影響する。本論文では,大きなマッピング空間を提供し,利用可能なマッピング空間を探索する完全によるマトリックスパラメータを変換するRCSのRRAMコンダクタンスに内部フォールトトレラント能力(MAO)によるマッピングアルゴリズムを提案した。さらに,SAFによる計算精度の損失を軽減するための二計算指向冗長性方式「冗長クロスバー’(RX)と「独立冗長柱’(IRC)を提案した。RXは冗長RRAMクロスバーアレイを加え,IRCはSAFによる計算誤差を補償するために独立した冗長RRAMカラムを紹介した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 生産技術 ,  金属酸化物 ,  冗長性 ,  ベクトル ,  *計算機システム ,  RAM【メモリ】 ,  乗算 ,  エネルギー効率 ,  *フォールトトレランス ,  コンダクタンス ,  アナログ系 ,  計算精度 ,  抵抗スイッチング ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 地震学一般  (DC03020A) ,  地震活動  (DC03030L)

タイトルに関連する用語 (4件)： RRAM ,  コンピューティングシステム ,  計算 ,  フォールトトレランス