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J-GLOBAL ID：201702243886628020   整理番号：17A0899185

水素保護4H-SiC(0001)面上の自然の点欠陥および金属吸着に対する効果

Native point defects on hydrogen-passivated 4H-SiC (0001) surface and the effects on metal adsorptions

著者 (7件)： Wang Tingting (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Liu Guiwu (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Li Yuanyuan (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Hou Haigang (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Xu Ziwei (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Wang Mingsong (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China) ,  Qiao Guanjun (School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China)
資料名： Journal of Chemical Physics  (Journal of Chemical Physics)
巻： 147  号： 2  ページ： 024707-024707-12  発行年： 2017年07月14日 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンカーバイド(SiC)の応用の継続的な拡大とともに,その表面の自然の点欠陥,特に水素保護(HP)4H-SiC(0001)面に対する原子論的理解は必須になってきた。第一原理計算を用い,4H-SiCの(0001)HP-面上の複数の自然の点欠陥(例えば,I_Si,I_C,V_Si,V_CおよびSi_C)の構造と生成エネルギーを,単位セルサイズ,環境条件,電荷状態,および水素取込みの効果を含み,系統的に探求した。さらに,これらの欠陥部位上のAg(Mo)原子の吸着を系統的に調べた。HP表面,清浄面,およびバルクSiCにおけるこれらの欠陥の生成エネルギーを,見積もったHP表面における熱力学的濃度をともに結論づけた。HP表面の金属(Ag,Mo)吸着へのこれらの欠陥の影響を結論づけた。これらの結論に基づいて,以前の研究における金属液体とイオン(AgあるいはMo)注入SiC基板の間のぬれ性の改善が原子スケールでよく理解できるようになった。本研究は,金属-SiC複合体の生産,金属とSiCのろう接,電子デバイスの製造,あるいは二次元ナノフィルムの成長に対するSiC表面改質への理論的ガイドラインを提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *点欠陥 ,  *吸着 ,  *炭化ケイ素 ,  計算 ,  清浄面 ,  エネルギー ,  銀 ,  モリブデン ,  濡れ ,  *金属吸着 ,  第一原理計算
準シソーラス用語： *シリコンカーバイド ,  生成エネルギー ,  濡れ性

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (3件)： 水素 ,  点欠陥 ,  金属吸着