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J-GLOBAL ID：201702243917282601   整理番号：17A0557689

ナノ複合材料銅/カーボン薄膜の磁気抵抗

Magnetoresistance of nanocomposite copper/carbon thin films

著者 (6件)： ARMAN Ali (Vacuum Technol. Group, Tehran, IRN) ,  LUNA Carlos (Universided Autonoma de Nuevo Leon, Nuevo Leon, MEX) ,  MARDANI Mohsen (Vacuum Technol. Group, Tehran, IRN) ,  HAFEZI Fatemeh (Vacuum Technol. Group, Tehran, IRN) ,  ACHOUR Amine (Inst. National de la Rech. Scientifique(INRS), QC, CAN) ,  AHMADPOURIAN Azin (Islamic Azad Univ., Kermanshah, IRN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 6  ページ： 4713-4718  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化アモルファスカーボン中に埋め込まれた部分酸化Cuナノ粒子からなる種々の厚みとCu/C比を持つ薄膜をアセチレンガスと銅ターゲットを用いた高周波プラズマ強化化学蒸着と高周波スパッタリングによって調製した。厚みとCu/C原子含有量比率を高周波電力と初期ガス圧力を変化することによって調製した。調べた3つのナノ粒子の平均サイズは,約6あるいは10nmであった。厚みを113から60nmに減少すると膜の粗さは1.97から2.8に増加した。一方,3試料のフラクタル次元は,約2.7であった。付け加えると,ナノ粒子がナノメーター間隙で分離されると電気抵抗は,室温で3.3Ωから1700MΩに増加し,電気伝導はトンネリング現象によって生じた。この条件では,試料は,負の磁気抵抗値を取り,磁場依存性の段階を示した。

シソーラス用語： *ナノ複合材料 ,  銅 ,  炭素 ,  *薄膜 ,  *磁気抵抗 ,  原子間力顕微鏡 ,  電気抵抗率 ,  ナノ粒子 ,  表面粗さ ,  フラクタル次元 ,  電気伝導 ,  トンネル効果 ,  部分酸化 ,  プラズマCVD ,  RFスパッタリング
準シソーラス用語： カーボン

分類 (3件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ複合材料 ,  銅 ,  カーボン薄膜 ,  磁気抵抗