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J-GLOBAL ID：201702243987790752   整理番号：17A0785067

グラフェンカプセル化によって実現された2次元の窒化ガリウム

Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation

著者 (18件)： AL BALUSHI Zakaria Y. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  WANG Ke (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  GHOSH Ram Krishna (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  GHOSH Ram Krishna (Univ. Norte Dame, Indiana, USA) ,  VILA Rafael A. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  EICHFELD Sarah M. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  CALDWELL Joshua D. (US Naval Res. Lab., Washington DC, USA) ,  QIN Xiaoye (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  LIN Yu-Chuan (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  DESARIO Paul A. (US Naval Res. Lab., Washington DC, USA) ,  STONE Greg (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  SUBRAMANIAN Shruti (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  PAUL Dennis F. (Physical Electronics USA, Minnesota, USA) ,  WALLACE Robert M. (Univ. Texas at Dallas, Texas, USA) ,  DATTA Suman (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  DATTA Suman (Univ. Norte Dame, Indiana, USA) ,  REDWING Joan M. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA) ,  ROBINSON Joshua A. (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 15  号： 11  ページ： 1166-1171  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広いバンドギャップ(約5.0~6.0eV)を有する層状六方晶窒化ホウ素(hBN)は,2D窒化物が2Dデバイスの進歩の鍵であることを明確に示している。一方,GaNは,2Dグラファイト構造が2,3原子層に薄膜化されるとき,量子閉じ込めを介した膜厚依存性のバンドギャップ(Eg)をもたらし,理論的にはhBNのそれを超える可能性を示した。しかし,2D-GaN膜の実験では,未だ結実していない。そこで本研究では,エピタキシャルグラフェンを利用したマイグレーション強化カプセル化成長(MEEG)技術による2D-GaNの合成を試みた。その結果,1)理論的に予測し,MEEGによって成長した2D-GaNの原子構造が報告された理論とは著しく異なることを実験的に立証した。2)グラフェンが直接バンドギャップ(約5.0eV)の安定化に重要な役割を果たすことを確認した。3)MEEGが伝統的な合成では調製が困難な2D窒化物を提供した。などの結果を得た。

シソーラス用語： *二次元 ,  バンドギャップ ,  *窒化ガリウム ,  *超薄膜 ,  積層構造 ,  六方晶系 ,  *窒化ホウ素 ,  *カプセル封じ ,  *グラフェン ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  大角散乱 ,  格子定数 ,  炭化ケイ素 ,  基板 ,  状態密度 ,  密度汎関数法 ,  計算機シミュレーション ,  数値解析 ,  反射率 ,  電流電圧特性 ,  Schottky障壁 ,  *電子状態 ,  *原子構造
準シソーラス用語： DFT【関数】 ,  HAADF-STEM ,  カプセル化【物質】 ,  ショットキーバリヤ ,  マイグレーション強化カプセル化成長 ,  二次元構造 ,  窒化ボロン

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  カプセル化 ,  2次元 ,  窒化ガリウム