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J-GLOBAL ID：201702244019004039   整理番号：17A0204749

パワーデバイスの理論と最適化【JST・京大機械翻訳】

Theory and optimization of the power super junction device

著者 (4件)： Zhang Bo (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Zhang Wentong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Qiao Ming (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China) ,  Li Zhaoji (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 46  号： 10  ページ： 107302-1-107302-18  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,表面の基本理論と2種類の解析的最適化法を,表面の最適化のアイデアに基づいてレビューした。SJと一般電力MOS構造の本質的な違いは以下の通りである。前者はN/P型周期の配列の接合型であり、後者は単一伝導型の阻型型である。SJは耐圧層に等価ヘテロ電荷を導入し、電荷バランスを満たし、次元を発生させ、高場を表面から体内に転向させ、現場の分布を最適化する。本論文では,電と場の概念を示し,非全耗尽ととのモードを解析し,過渡的作動機構と安全領域を紹介し,横方向SJの等価基質モデルと理想的基板条件を論じ,最終的に最小最低抵抗R_(ON,MIN)に基づく最適化法を提案した。V_Bの下でのR_(ON,MIN)を求めた。デバイスは同じ耐圧下でその比抵抗を顕著に低下させ、R_(ON)-V_B関係はV_Bの2.5回の方変から1.32回、さらには1.03回であり、“パワーMOSデバイスの発展のマイルストーン”となる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電荷 ,  MOSFET ,  *最適化 ,  安全性 ,  電力 ,  基質 ,  MOS構造 ,  電気抵抗率 ,  *改変
準シソーラス用語： *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： power semiconductor device ,  super junction ,  charge electric field ,  potential electric field ,  the minimum R_(on)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： パワーデバイス ,  理論 ,  最適化