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J-GLOBAL ID：201702244155453654   整理番号：17A0762219

部分帯電TCNQラジカルを有するDy^IIIの伝導分子性ナノ磁石

Conducting Molecular Nanomagnet of Dy^III with Partially Charged TCNQ Radicals

著者 (5件)： Zhang Xuan (Department of Chemistry, Texas A&M University, P.O. Box 30012, College Station, TX, 77842-3012, USA) ,  Xie Haomiao (Department of Chemistry, Texas A&M University, P.O. Box 30012, College Station, TX, 77842-3012, USA) ,  Ballesteros-Rivas Maria (Department of Chemistry, Texas A&M University, P.O. Box 30012, College Station, TX, 77842-3012, USA) ,  Woods Toby J. (Department of Chemistry, Texas A&M University, P.O. Box 30012, College Station, TX, 77842-3012, USA) ,  Dunbar Kim R. (Department of Chemistry, Texas A&M University, P.O. Box 30012, College Station, TX, 77842-3012, USA)
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 23  号： 31  ページ： 7448-7452  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二機能性導電性単一分子磁石は,不揮発性メモリデバイスと量子計算応用のための非常に有望なプラットフォームである。しかしながら,これらの分子材料の開発は,直接的な合成方法の欠如によって大きく妨げられてきた。ここでは,部分帯電有機ラジカルを得るために電気化学的または化学的酸化を必要としない二機能性材料の実現のための容易でモジュラーなアプローチが実証されている。磁性および電気伝導度の研究から,Dy^III化合物は,5.0~8.0Kの間の磁化のゆっくりとした緩和と180~350Kの範囲にわたる半導体挙動を示すことが明らかになった。DC磁場は,磁化の量子トンネリングを抑制し,スピン傾斜反強磁性相互作用に影響を及ぼすことが判明している。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ナノ構造 ,  磁性体 ,  *磁石 ,  *ジスプロシウム錯体 ,  磁気緩和 ,  半導体 ,  トンネル効果 ,  状態 ,  交換相互作用 ,  *電気伝導率 ,  *結晶構造 ,  橋架け錯体 ,  ヒドロキソ錯体 ,  磁化率 ,  脂環式化合物 ,  ニトリル ,  ジエン ,  キノイド化合物
準シソーラス用語： ナノ磁石 ,  量子トンネリング ,  キャントしたスピン状態 ,  反強磁性相互作用 ,  *単一分子磁石 ,  AC磁化率

著者キーワード (6件)： dysprosium ,  electrical conductivity ,  magnetic properties ,  single-molecule magnet ,  TCNQ ,  π-π stacking interactions

分類 (3件)： 第3族元素の錯体  (CE01060J) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

物質索引 (2件)： TCNQ ,  トリス(2-ピリジルメチル)アミン

タイトルに関連する用語 (6件)： 帯電 ,  TCNQ ,  ラジカル ,  伝導 ,  分子性 ,  ナノ磁石