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J-GLOBAL ID：201702244165121789   整理番号：17A0471205

共形極薄非晶質TiO_2層を有する強化された水酸化用のBiVO_4光アノードにおける水素化発生酸素空格子点の保護【Powered by NICT】

Protecting hydrogenation-generated oxygen vacancies in BiVO₄ photoanode for enhanced water oxidation with conformal ultrathin amorphous TiO₂ layer

著者 (10件)： Zhang Yang (Center for Advanced Optoelectronic Materials Research, School of Physics, Northeast Normal University, 5268 Renmin Street, Changchun 130024, PR China) ,  Zhang Yang (Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology of Chinese Ministry of Education, Northeast Normal University,5268 Renmin Street, Changchun 130024, PR China) ,  Zhang Xintong (Center for Advanced Optoelectronic Materials Research, School of Physics, Northeast Normal University, 5268 Renmin Street, Changchun 130024, PR China) ,  Zhang Xintong (Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology of Chinese Ministry of Education, Northeast Normal University,5268 Renmin Street, Changchun 130024, PR China) ,  Wang Dan (Center for Advanced Optoelectronic Materials Research, School of Physics, Northeast Normal University, 5268 Renmin Street, Changchun 130024, PR China) ,  Wang Dan (Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology of Chinese Ministry of Education, Northeast Normal University,5268 Renmin Street, Changchun 130024, PR China) ,  Wan Fangxu (Center for Advanced Optoelectronic Materials Research, School of Physics, Northeast Normal University, 5268 Renmin Street, Changchun 130024, PR China) ,  Wan Fangxu (Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology of Chinese Ministry of Education, Northeast Normal University,5268 Renmin Street, Changchun 130024, PR China) ,  Liu Yichun (Center for Advanced Optoelectronic Materials Research, School of Physics, Northeast Normal University, 5268 Renmin Street, Changchun 130024, PR China) ,  Liu Yichun (Key Laboratory of UV-Emitting Materials and Technology of Chinese Ministry of Education, Northeast Normal University,5268 Renmin Street, Changchun 130024, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 403  ページ： 389-395  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化処理により適切な量の酸素空格子点を導入ナノ構造酸化物光アノードの光電気化学性能を改善する簡単で効率的な方法である。しかし,水素化効果は,光アノードの表面に近い酸素空格子点のなだらかな治癒のために耐久性のあるされないことが多い。ここでは,非晶質TiO_2の超薄層を持つ水素化ナノ多孔質BiVO_4(H BiVO_4)光アノードを共形被覆により,この問題に取り組んだ。光電気化学測定は,4nm TiO_2層は繰返し塑性加工試験のためのH BiVO_4光アノードの安定性を改善し,非被覆試料と比較して初期光電流に殆ど影響を及ぼさずに有意にできることを示した。Mott-Schottkyと線形掃引ボルタンメトリー測定は,H BiVO_4電極のドナー密度と光電流密度は3hの試験後で元のBiVO_4電極の値に減衰することが示されたが,非晶質TiO_2~-被覆電極は同じ期間にそれぞれ初期値の6%および5%分解した。調査は,非晶質TiO_2層は環境酸素からこれらの酸素空格子点を分離することによりH BiVO_4光アノード中の酸素空格子点を保護し,同時にその漏れ特性に起因する水分子への界面電荷移動を妨げないことを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  光電気化学 ,  電荷移動 ,  耐久性 ,  *酸素 ,  ナノ構造 ,  電流密度 ,  *水素化 ,  水分子 ,  光電流 ,  *ヒドロキシ化
準シソーラス用語： *ヒドロキシル化 ,  線形掃引ボルタンメトリー ,  *酸素空格子点 ,  *光アノード ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 酸素空格子点 ,  非晶質TiO_2 ,  水素化効果 ,  ナノ多孔質BiVO_4

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  強化 ,  水酸化 ,  光アノード ,  水素化 ,  酸素空格子点