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J-GLOBAL ID：201702244190909533   整理番号：17A0190802

(0001)-サファイア上に成長したε-Ga₂O₃膜の結晶構造と強誘電性

Crystal Structure and Ferroelectric Properties of ε-Ga₂O₃ Films Grown on (0001)-Sapphire

著者 (9件)： MEZZADRI Francesco (Univ. Parma, Parma, ITA) ,  MEZZADRI Francesco (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  CALESTANI Gianluca (Univ. Parma, Parma, ITA) ,  BOSCHI Francesco (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  BOSCHI Francesco (Univ. Parma, Parma, ITA) ,  DELMONTE Davide (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  BOSI Matteo (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  FORNARI Roberto (IMEM, CNR, Parma, ITA) ,  FORNARI Roberto (Univ. Parma, Parma, ITA)
資料名： Inorganic Chemistry  (Inorganic Chemistry)
巻： 55  号： 22  ページ： 12079-12084  発行年： 2016年11月21日 
JST資料番号： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温MOCVD法により,c配向サファイア上にε-Ga₂O₃膜を堆積させ,単結晶X線回折により結晶構造を調べた。ε-Ga₂O₃膜はエピタキシャル成長しており,格子不整合は,4.1%であることがわかった。さらに強誘電性ヒステリシス測定により,強誘電性があることがわかった。半導体的性質と強誘電性の共存があるという特異な物性を持つことがわかった。

シソーラス用語： *強誘電性 ,  *MOCVD ,  サファイア ,  *酸化ガリウム ,  *多形 ,  X線回折 ,  *結晶構造 ,  *エピタクシー ,  ヒステリシス ,  半導体 ,  結晶面
準シソーラス用語： 単結晶X線回折

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  成長 ,  Ga2O3 ,  結晶構造 ,  強誘電性