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J-GLOBAL ID：201702244260532379   整理番号：17A0575246

薄膜太陽電池用CuSbS₂の低温原子層堆積

Low-Temperature Atomic Layer Deposition of CuSbS₂ for Thin-Film Photovoltaics

著者 (6件)： RIHA Shannon C. (Univ. Wisconsin-Stevens Point, Wisconsin, USA) ,  KOEGEL Alexandra A. (Univ. Wisconsin-Stevens Point, Wisconsin, USA) ,  EMERY Jonathan D. (Northwestern Univ., Illinois, USA) ,  EMERY Jonathan D. (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  PELLIN Michael J. (Argonne National Lab., Illinois, USA) ,  MARTINSON Alex B.F. (Argonne National Lab., Illinois, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 5  ページ： 4667-4673  発行年： 2017年02月08日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 堆積条件を慎重にin situ解析して,原子層堆積(ALD)によりCuSbS₂薄膜をの低温で作製する方法を開発した。225°Cで15分間焼なまし後のALD成長したCuSbS₂膜は微粒子からなる結晶質であり,バンドギャップは1.6eV,吸収係数は>10⁴cm^-1,濃度は10¹⁵cm^-3であった。このCuSbS₂膜とALD成長TiO₂膜を組合せて薄膜太陽電池を作製した。この太陽電池の構造は,これ迄に報告されている非常に限られた数のCdを含まないCuSbS₂スタックの一つで,CuSbS₂/CdSヘテロ接合太陽電池と同等の開路電圧を初めて実証した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  硫化物 ,  銅化合物 ,  アンチモン化合物 ,  *化学蒸着 ,  低温 ,  焼なまし ,  バンドギャップ ,  吸収係数 ,  *電圧 ,  薄膜成長 ,  光吸収
準シソーラス用語： *開路電圧 ,  *原子層堆積 ,  *薄膜太陽電池

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜太陽電池 ,  低温 ,  原子層堆積