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J-GLOBAL ID：201702244552213376   整理番号：17A0650716

HfO₂プログラマブル金属化セルにおける微細構造依存性フィラメント形成動力学

Microstructure dependent filament forming kinetics in HfO₂ programmable metallization cells

著者 (8件)： CLARKE Heidi (Texas A&M Univ., TX, USA) ,  BROWN Timothy (Texas A&M Univ., TX, USA) ,  HU Jianjun (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  HU Jianjun (Universal Technol. Corp., OH, USA) ,  GANGULI Raj (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  REED Amber (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  VOEVODIN Andrey (Univ. North Texas, TX, USA) ,  SHAMBERGER Patrick J (Texas A&M Univ., TX, USA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 42  ページ： 425709,1-14  発行年： 2016年10月21日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,原子層堆積(ALD)HfO₂薄膜の内部構造に対する熱処理条件の役割,並びに微細構造がp⁺Si/HfO₂/CuおよびTiN/HfO₂/Cuデバイスのフィラメント形成動力学に及ぼす影響を調べた。高真空ALDチャンバ内のプラズマモードを用いて,厚さ3nmの自然酸化物層を有するSi基板上にHfO₂膜を形成した。次に,p⁺Si/HfO₂/Cu,TiN/HfO₂/Cu,およびSi/a-SiO₂/W/HfO₂/Cuの3つの異なる下部電極を用いたMIM構造を形成した。作製した試料について,原子間力顕微鏡の交流タッピングモードを用いて,トポグラフィの特徴付けを行った。更に,遠隔増幅モジュールを備えた半導体パラメータアナライザを用いて,電気的特性を調べた。著者等は,フィラメント形成動力学が,HfO₂微細構造に大きく依存することを示し,スイッチングサイクルのデバイス間変動性に影響することを示唆した。

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *PLD【IC】 ,  *メタライゼーション ,  *微細構造 ,  *フィラメント ,  *動力学 ,  *化学蒸着 ,  *薄膜 ,  内部構造 ,  *熱処理 ,  *固体素子 ,  *スイッチング ,  プラズマ ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  銅 ,  二酸化ケイ素 ,  *MIM構造 ,  電極 ,  原子間力顕微鏡 ,  計測
準シソーラス用語： *プログラマブル回路 ,  *金属化 ,  *原子層堆積 ,  エレクトロニックデバイス ,  *抵抗スイッチング ,  TiN ,  Cu ,  タッピングモード原子間力顕微鏡 ,  半導体素子測定

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (6件)： HfO2 ,  金属化 ,  セル ,  構造依存性 ,  フィラメント ,  動力学