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J-GLOBAL ID:201702244735394718   整理番号:17A0323759

高性能有機薄膜トランジスタのための架橋高分子混合物ゲート絶縁体【Powered by NICT】

Crosslinked polymer-mixture gate insulator for high-performance organic thin-film transistors
著者 (8件):
資料名:
巻: 36  ページ: 171-176  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,高性能有機薄膜トランジスタ(TFT)のための架橋高分子混合物ゲート絶縁膜の作製について報告する。高分子架橋剤として架橋性高k高分子マトリックスとしてシアノエチル化プルラン(CEP)とポリ(エチレン-alt-マレイン酸無水物)(PEMA)を使用した。PEMAはCEPのヒドロキシル基への反応性官能基の高い数を持つので,PEMAの使用は,有機TFTの大電流ヒステリシスと高いオフ電流に強く関係して残ったヒドロキシル基の量を最小化するための有効である。ゲート絶縁体としてCEP PEMA混合物の可能性を調べるために,著者らは2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン(C_8BTBT)TFTを作製した。厚さ60nmのCEP PEMAゲート絶縁体をもつC_8BTBT TFTは1.4cm~/vsの電界効果移動度とオン/オフ比2.4×10~6の優れたTFT性能を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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トランジスタ 
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