p型ZnドープSnO<sub>2</sub>の構造,電気,及び光学特性対蒸着及びアニーリング温度の研究

LE Tran; DANG Huu Phuc; LUC Quang Ho; LE Van Hieu

文献

J-GLOBAL ID：201702244927264601 整理番号：17A0632706

p型ZnドープSnO₂の構造,電気,及び光学特性対蒸着及びアニーリング温度の研究

A study of structural, electrical, and optical properties of p-type Zn-doped SnO₂ films versus deposition and annealing temperature

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資料名：
巻： 50 号： 14 ページ： 145102,1-14 発行年： 2017年04月12日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

石英基板上へマグネトロンスパッタリングによりp型ZnドープSnO₂(ZTO)薄膜を蒸着した。ZnドーパントはSnO₂(101),(211)面に優先的に取り込まれた。X線光電子分光法によりZnの原子価状態を調べた。ZTO膜は400°Cの閾値温度でn型からp型へ変化し,600°C,2時間の最適アニーリング温度で極めて高い伝導率となった。最良の伝導特性は10wt%ZnOドープ試料で得られた。平均透過率は>84%であった。Zn²⁺のアクセプタ準位を室温の光ルミネセンススペクトルから評価した。電流電圧特性から,p-ZTO/n-Siヘテロ接合ダイオードの挙動を明らかにした。

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半導体薄膜 , 半導体結晶の電気伝導 , 半導体のルミネセンス

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p型ZnドープSnO2の構造,電気,及び光学特性対蒸着及びアニーリング温度の研究

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