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J-GLOBAL ID：201702246114116923   整理番号：17A0634831

Zn_1-xB_xOターゲットからのパルスDCマグネトロンスパッタリングにより堆積した透明導電性ホウ素ドープZnO薄膜の特性

Properties of transparent conductive boron-doped ZnO thin films deposited by pulsed DC magnetron sputtering from Zn_1-xB_xO targets

著者 (8件)： WEN B. (Taiyuan Normal Univ., Yuci, CHN) ,  WEN B. (Dalian Jiaotong Univ., Dalian, CHN) ,  LIU C.Q. (Dalian Jiaotong Univ., Dalian, CHN) ,  WANG N. (Dalian Jiaotong Univ., Dalian, CHN) ,  WANG H.L. (Dalian Jiaotong Univ., Dalian, CHN) ,  LIU S.M. (Dalian Jiaotong Univ., Dalian, CHN) ,  REN Y.H. (Taiyuan Normal Univ., Yuci, CHN) ,  CHAI W.P. (Dalian Jiaotong Univ., Dalian, CHN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 3  ページ： 211,1-8  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BドープZnO透明導電性薄膜を,Zn_1-xB_xOターゲットからのパルスDCマグネトロンスパッタリングにより,セラミックソーダ石灰ガラス基板上に堆積した。XRDパターンは,Bドープ及び無ドープZnO膜が,強いc軸配向をもつ六方晶ウルツ鉱型構造を示すことを明らかにした。膜の表面モルフォロジーは非常に平滑で,AFM画像におけるB濃度に関する結晶粒子サイズの変化は,XRD結果と一致した。Zn_1-xB_xO膜のすべての透過スペクトルは,可視領域における90%より高い平均値を示した。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ホウ素 ,  *ドーピング ,  *透明導電膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  モルフォロジー ,  *表面構造 ,  粒度 ,  *スペクトル ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  優先配向 ,  *透過率 ,  *光学定数 ,  *電気抵抗率 ,  直流マグネトロンスパッタリング ,  表面形態 ,  *構造
準シソーラス用語： 表面モルフォロジー

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： ターゲット ,  パルス ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  導電性 ,  ホウ素 ,  ドープ ,  ZnO薄膜