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J-GLOBAL ID:201702246122884427   整理番号:17A0158766

20keVのH -イオンで照射されたシリカガラスからのその場ルミネセンス測定【Powered by NICT】

In Situ Luminescence Measurement from Silica Glasses Irradiated with 20 keV H- Ions
著者 (5件):
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巻: 33  号: 10  ページ: 106101_01-106101_04  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1191A  ISSN: 0256-307X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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北京師範大学におけるGIC41172 1.7MVタンデム加速器の入射器で最近開発された新しい低エネルギー負イオン誘起ルミネセンス装置。その場ルミネセンス測定は,室温で20keVのH -イオンを用いたシリカガラス上で行った。スペクトルのGaussフィッティングは,約2.7eV,2.4eV,1.9eV,1.8eV,4.2eV,3.6eV,3.6eVで新しく観測された発光バンドを除いてII型酸素欠損中心,E’中心,異なる前駆体状態をもつ非架橋酸素正孔中心,とI型酸素欠損中心の生成に帰属される六重複成分を明らかにした。飽和濃度の適合結果はII型酸素欠損中心における自縄自縛励起子再結合が主なルミネセンス発光過程であることを示した。イオンHuenceの関数として半値全幅でルミネセンス強度と半値幅の進化についても考察した。再結合中心の数は低Huenceでその最大値に達することが判明し,青色バンドと赤色バンドの間の面積比が高いエネルギーH +イオン照射下のそれよりもずっと低かった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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その他の物質の放射線による構造と物性の変化 
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