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J-GLOBAL ID:201702246230497025   整理番号:17A0855961

光電気化学センサのための新しいプラットフォームとしてのInGaN/GaNナノワイヤ-NADHの検出【Powered by NICT】

InGaN/GaN nanowires as a new platform for photoelectrochemical sensors - detection of NADH
著者 (9件):
資料名:
巻: 94  ページ: 298-304  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0173C  ISSN: 0956-5663  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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InGaN/GaNナノワイヤへテロ構造はNADHの光誘起光電気化学検出のためのナノフォトニックプローブとして提示した。は光生成した電子-正孔対は,電位とpH依存性は広い適用性を示す安定な陽極光電流を生じさせることを示した。加えて,光ルミネセンスの同時測定は,ナノ構造界面での光反応過程の解析と評価のための追加的手段を提供する。InGaN/GaNナノワイヤ集合体は,広い波長範囲,励起波長を調整することによって分析される化合物の吸収特性による光電気化学応答のintereferencesを回避する上で励起することができる。ナノ構造の光電流はNADH依存性大きさを示した。アノード電流は5μMから10mMに範囲で上昇検体濃度と共に増加し,0mV(対Ag/AgCl)の比較的低い電位で。,InGaN/GaNナノワイヤは91μAmM~ 1cmまで~ 2(直線範囲で)の高い感度に達し,反復NADH検出のための良好な再利用性を提供する。これらの結果は,NADH産生酵素との組み合わせによる検体またはバイオセンサのための光による構造変換が可能なセンサの実現への道を開くこの検体の限定された変換のためのInGaN/GaNナノワイヤへテロ構造の可能性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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生化学的分析法 
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