ZHDANOV E. Yu. について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
ZHDANOV E. Yu. について
Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS について
POGOSOV A. G. について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
POGOSOV A. G. について
Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS について
BUDANTSEV M. V. について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
POKHABOV D. A. について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
POKHABOV D. A. について
Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS について
BAKAROV A. K. について
Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Russian Acad. of Sci., Novosibirsk, RUS について
BAKAROV A. K. について
Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS について
Semiconductors について
二次元電子ガス について
磁気抵抗 について
温度依存性 について
バリスティック輸送 について
量子ドット について
e-e相互作用 について
整合 について
振動 について
直流 について
アンチドット について
磁気輸送 について
電子-電子相互作用 について
電子輸送 について
固体プラズマ について
半導体と絶縁体の電気伝導一般 について
周期 について
ドット について
格子 について
懸垂 について
二次元電子ガス について
バリ について
スティック について
磁気輸送 について