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J-GLOBAL ID：201702246381517058   整理番号：17A0754710

(iPrCp)_2Y(iPrと)前駆体を用いた原子層堆積により成長させたY_2O_3薄膜の構造的,化学的,および電気的性質【Powered by NICT】

Structural, chemical, and electrical properties of Y₂O₃ thin films grown by atomic layer deposition with an (iPrCp)₂Y(iPr-amd) precursor

著者 (7件)： Kang J.-H. (Department of Nano and Electronic Physics, Kookmin University, Seoul 02707, Republic of Korea) ,  Jung Yong Chan (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Seong Sejong (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Lee Taehoon (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Ahn Jinho (Department of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Noh Wontae (Air Liquide Laboratories Korea, Seoul 03722, Republic of Korea) ,  Park In-Sung (Institute of Nano Science and Technology, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63  ページ： 279-284  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Y_2O_3薄膜は350°Cでヘテロレプチック液体(iPrCp)2Y(iPr amd)前駆体による原子層堆積(A LD)により成長させた。500°Cと700°Cで蒸着したままの膜と焼なましたY_2O_3膜の構造と化学的性質は,表面粗さの変化,結晶構造のためにX線回折を,化学状態のX線光電子分光法のための原子間力顕微鏡により分析した。堆積Y_2O_3膜は面(222),化学量論的状態,および最小ヒドロキシル化形成700°Cまでに沿って同じ結晶配向を示した。金属-酸化物-半導体キャパシタの誘電体層である,堆積後アニーリングなしに液体(iPrCp)2Y(iPrと)前駆体の堆積したままのA LD Y_2O_3膜を固体Y(MeCp)3のA LD Y_2O_3よりはるかに低い漏洩電流密度を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒドロキシ化 ,  *電気的性質 ,  コンデンサ ,  X線光電子分光法 ,  *前駆体 ,  結晶方位 ,  原子間力顕微鏡 ,  酸化物 ,  X線回折 ,  焼なまし ,  化学量論 ,  *薄膜 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 化学状態 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Y_2O_3膜 ,  原子層堆積 ,  (iPrCp)_2Y(iPrと) ,  XPS ,  漏れ電流

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 前駆体 ,  原子層堆積 ,  成長 ,  薄膜 ,  化学 ,  電気的性質