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J-GLOBAL ID：201702246531093534   整理番号：17A0769365

Si(001)上の立方晶窒化ほう素膜の成長パラメータ空間と光学的性質【Powered by NICT】

Growth-Parameter Spaces and Optical Properties of Cubic Boron Nitride Films on Si(001)

著者 (6件)： FAN Ya-Ming (Institute of Semiconductors, Chinese Academy Sciences) ,  ZHANG Xing-Wang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy Sciences) ,  YOU Jing-Bi (Institute of Semiconductors, Chinese Academy Sciences) ,  YING Jie (Institute of Semiconductors, Chinese Academy Sciences) ,  TAN Hai-Ren (Institute of Semiconductors, Chinese Academy Sciences) ,  CHEN Nuo-Fu (Institute of Semiconductors, Chinese Academy Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 5  ページ： 187-190  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶窒化ホウ素(c BN)膜を種々の条件下でイオンビーム支援蒸着(IBAD)システムにおけるSi(O01)基板上に蒸着し,c-BN膜の成長パラメータ空間と光学的性質を系統的に調べた。結果は,適切なイオン衝撃は,c-BN膜の成長に必要であり,良く定義されたパラメータ空間はP/aパラメータを用いて確立できることを示した。BN膜の屈折率はc-BN含有量が50%より低い1.8の一定を保持し,一方,より高い立方晶相を持つc-BN膜の屈折率はχ_c=90%でχ_c=50%でc-BN含有量と共に増加し1.8から2.1である。さらに,BN膜のnとpとの間の関係はAnderzon Schreiber方程式で表すことができ,,オーバーラップ場パラメータγは2.05であると決定した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光学的性質 ,  屈折率 ,  *ケイ素 ,  イオンビーム蒸着 ,  イオン衝突
準シソーラス用語： オーバラップ ,  *パラメータ空間 ,  *生長パラメータ ,  *CBN【セラミック】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： 英語キーワードはない

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  立方晶窒化ほう素 ,  成長パラメータ ,  光学的性質