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J-GLOBAL ID：201702247564563231   整理番号：17A0449045

スピンコートした酸化ガリウム膜の特性化とシリコン上の表面不動態化層としての応用【Powered by NICT】

Characterization of spin-coated gallium oxide films and application as surface passivation layer on silicon

著者 (6件)： Xiang Yuren (Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, No. 6 Beiertiao, Zhongguancun, Beijing 100190, China) ,  Xiang Yuren (University of Chinese Academy of Sciences, No. 19 Yuquan Road, Shijingshan Qu, Beijing 100049, China) ,  Zhou Chunlan (Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, No. 6 Beiertiao, Zhongguancun, Beijing 100190, China) ,  Zhou Chunlan (University of Chinese Academy of Sciences, No. 19 Yuquan Road, Shijingshan Qu, Beijing 100049, China) ,  Wang Wenjing (Key Laboratory of Solar Thermal Energy and Photovoltaic System, Institute of Electrical Engineering, Chinese Academy of Sciences, No. 6 Beiertiao, Zhongguancun, Beijing 100190, China) ,  Wang Wenjing (University of Chinese Academy of Sciences, No. 19 Yuquan Road, Shijingshan Qu, Beijing 100049, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 1192-1198  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン太陽電池の不動態化層として大きな可能性を示している酸化ガリウム膜。本研究では,表面不動態化層としてのp型シリコン基板上に酸化ガリウム膜を形成するためにスピンコーティング法を採用した。構造の依存性と焼なまし温度に及ぼす酸化ガリウム膜の表面不動態化効果を調べた。Gaの3dおよび2p3/2領域もX線光電子分光分析により測定したGa_2O_3膜(対深さ)の組成に関する相補的な情報を得た。添加では,Q_極性変化とGa_2O_3不動態化された試料のC-V時計回りのヒステリシスもこの研究で議論した。アニーリング温度が550°C以上に増加した酸化ガリウム膜は非晶質から結晶への相転移を受けた。450から850°Cへのアニーリング温度の上昇と共に,界面酸化けい素層の厚さは2から7.4nmに増加した;界面状態密度,D,は4.21×10~11から1.53×10~11eV~ 1cm~ 2に減少し,有効酸化物電荷密度,Q,はそれぞれ 3.7×10~10から1.1×10~11cm~ 2。D-はアニーリング温度の増加と共に酸化ガリウム膜の膜不動態化効果を支配した。残留ガリウム水酸化物は水素拡散の水素リザーバとして作用することができ,界面水素化をD-減少において重要な役割を果たす。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 水素化 ,  極性 ,  *酸化ガリウム ,  ヒステリシス ,  *不動態化 ,  水素 ,  界面 ,  *ガリウム ,  *キャラクタリゼーション ,  X線光電子分光法 ,  スピンコーティング
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  アニーリング温度 ,  シリコンウエハ ,  *表面不動態化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： スピンコーティング ,  Ga_2O_3 ,  不動態化 ,  極性変化 ,  時計回りヒステリシス

分類 (1件)： 腐食  (WB03030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： スピンコート ,  酸化ガリウム ,  特性化 ,  シリコン ,  表面不動態化 ,  応用