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J-GLOBAL ID：201702247736887637   整理番号：17A0756786

アコースティックエミッション法に関連したPoEF試験を用いたSiインタポーザの強度の決定【Powered by NICT】

Determination of strength of Si interposers using PoEF test associated with acoustic emission method

著者 (4件)： Liu H. Y. (Department of Mechanical Engineering, Chang Gung University Kwei-Shan, Tao-Yuan, Taiwan) ,  Liu G. M. (Department of Mechanical Engineering, Chang Gung University Kwei-Shan, Tao-Yuan, Taiwan) ,  Tsai M. Y. (Department of Mechanical Engineering, Chang Gung University Kwei-Shan, Tao-Yuan, Taiwan) ,  Huang C. Y. (Siliconware Precision Industries Co., Taichung, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMPACT  ページ： 277-280  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体会社は2.5D IC集積技術,遷移アプローチとしての水平および垂直不均一チップの相互接続と統合3D ICのためのプラットフォームとしてのシリコンバイア(Cu TSVs)を通したCuを有するシリコンインターポーザを適用したを開発した。既存Cu TSVシリコンインターポーザはより脆弱になるかもしれない,構造不均一性と弱い界面によるものであった。シリコンインターポーザの強度測定から,2.5Dパッケージの信頼性を確保するための重要な課題の一つとなっている。本研究の目的は,点荷重に及ぼす弾性基礎(PoEF)試験を用いてシリコンインターポーザの強度,インターポーザ破断前試験中に起こる局所材料亀裂や剥離を検出するアコースティックエミッション(AE)法を決定することである。結果は,インターポーザ破壊前に生じるAE信号いくつかの少ないより,50dB,負荷ピン接触により誘導されたmicropad破砕に起因することを示した。しかし,インターポーザの破れはC4バンプパッドの角に位置する最大引張応力によって制御され,micropad破砕またはCu TSVの代わりにであることが分かった。この破壊挙動を有限要素シミュレーションにより検証し,さらにシリコンインターポーザの強さはCu材料の非線形特性を考慮した有限要素解析に関連した実験的データによって決定することに成功した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  引張応力 ,  不均一性 ,  *アコースティックエミッション ,  破断 ,  相互接続 ,  界面 ,  *ケイ素 ,  亀裂 ,  三次元 ,  信頼性 ,  銅
準シソーラス用語： 有限要素解析 ,  有限要素シミュレーション ,  *インターポーザ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  プリント回路  (NA05040O) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 試験 ,  Si ,  インタポーザ