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J-GLOBAL ID：201702247902167662   整理番号：17A0626194

ペンタセン薄膜の自己限定成長

Self-Limited Growth in Pentacene Thin Films

著者 (7件)： PACHMAJER Stefan (NAWI Graz, Graz Univ. Technol., Graz, AUT) ,  JONES Andrew O. F. (NAWI Graz, Graz Univ. Technol., Graz, AUT) ,  TRUGER Magdalena (NAWI Graz, Graz Univ. Technol., Graz, AUT) ,  ROETHEL Christian (Univ. Graz, Graz, AUT) ,  SALZMANN Ingo (Humboldt Univ. zu Berlin, Berlin, DEU) ,  WERZER Oliver (Univ. Graz, Graz, AUT) ,  RESEL Roland (NAWI Graz, Graz Univ. Technol., Graz, AUT)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 13  ページ： 11977-11984  発行年： 2017年04月05日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,最も研究されている有機半導体材料の1つであるペンタセンの20~300nmの薄膜中でのペンタセンの,膜厚に依存した結晶成長について種々のX線回折法と原子間力顕微鏡を組み合わせて調べ,準安定薄膜相からバルク多形への膜厚依存の相挙動に関する新しい解釈を得た。観察の結果,薄膜相と,50nm膜厚で基板面に平行な相と0.75°傾いたバルク相(Campbellバルク相),薄膜相と密接なヘリボーンパッキングのため21°傾いたバルク相(Holmes相)の微結晶が見られた。薄膜相からバルク相への転移は,薄膜相結晶の結晶ファセットにおけるバルク相の核形成により,これが薄膜相の自己停止成長の原因となり,ペンタセン薄膜で見られる結晶成長の膜厚に依存した相挙動をもたらしている。

シソーラス用語： *有機材料 ,  *薄膜成長 ,  有機半導体 ,  多形 ,  ファセット ,  核形成 ,  *依存性 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *有機薄膜 ,  結晶多形 ,  *膜厚依存性

分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (4件)： ペンタセン ,  薄膜 ,  自己 ,  成長