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J-GLOBAL ID:201702247931842574   整理番号:17A0518449

GaInP CuPtB型秩序に及ぼすSb界面活性剤の影響: 暗視野TEMおよび収差補正HAADFイメージングによる評価

The effect of Sb-surfactant on GaInP CuPtB type ordering: assessment through dark field TEM and aberration corrected HAADF imaging
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巻: 19  号: 15  ページ: 9806-9810  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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有機金属気相成長法(MOVPE)を用いて成長させたGaInP層の微細構造に及ぼすSbの効果について述べた。これらの層は,基板(最も近い[111]軸に対して6°の配向不整を持つGe(001)基板)の意図的な配向不整のために,CuPtB単一バリアント秩序を示す。GaInP成長中の界面活性剤としてのSbを使用しても,秩序型を変えることはないが,秩序パラメータ(η)はSbフラックスの増加と共に減少することが分かった。暗視野顕微鏡法によりSb量による逆位相境界(APB)の角度の変化がわかった。秩序領域の重ね合わせによるAPBのZコントラスト損失を明らかにする高角度環状暗視野(HAADF)実験および画像シミュレーションにより微細構造を評価した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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