文献

J-GLOBAL ID：201702248006099888   整理番号：17A0499307

GaN(0001)表面における吸着質相互作用ならびに拡散障壁および成長形態に及ぼすその影響

Adsorbate interactions on the GaN(0001) surface and their effect on diffusion barriers and growth morphology

著者 (2件)： Chugh Manjusha (Department of Chemistry, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur, India. [e-mail]) ,  Ranganathan Madhav
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 3  ページ： 2111-2123  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面における吸着質相互作用の検討は成長表面形態の理解および有効表面拡散障壁の計算の助けとなる。密度汎関数理論に基づくab initio計算を用いて極性GaN(0001)表面におけるGa-Ga,N-NおよびGa-N吸着原子対の間の相互作用を調べた。表面における2つの吸着原子の間の相互作用エネルギーは吸着原子間の距離の増加に伴う明確な傾向に従うようではなかった。清浄なGaN(0001)における複数の可能な再構成の存在および有限なサイズに起因する周期効果が相互作用の解析を複雑化した。全相互作用エネルギーのさまざまな成分を分離した。GaおよびN吸着原子が引き起こす大きな基板格子歪みがあることを見いだした。得られた弾性相互作用はGaN(0001)表面における吸着原子間の相互作用の主成分であった。双極性相互作用は大きさがはるかに小さかった。基板媒介電子項相互作用に起因する相互作用エネルギーの成分も推定した。吸着原子の表面ホッピングに対する障壁は他の吸着原子が存在すると著しく変化した。GaおよびN吸着原子についていくつかの可能な表面ホッピング過程を特定し,それらの障壁を計算した。特に,N吸着原子が隣接するGa吸着原子の反対側で近接部位へ移るためにより低い障壁を有することを見いだした。GaN(0001)の成長表面形態に対する吸着原子相互作用の影響を見るためにキネティックモンテカルロシミュレーションを行った。準単原子層成長段階において,Ga吸着原子近傍に位置するN吸着原子の速い拡散はより規則的な島の特徴を導いた。こうして,本研究は成長中のGaN(0001)膜の初期表面核形成および形態における吸着原子相互作用の役割を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *相互作用 ,  拡散障壁 ,  形態 ,  *結晶面 ,  *原子 ,  *吸着 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： 吸着質 ,  吸着原子 ,  モンテカルロシミュレーション

分類 (2件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  吸着質 ,  相互作用 ,  拡散障壁 ,  成長 ,  形態