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J-GLOBAL ID：201702248072742496   整理番号：17A0805268

SM充填型方Gu鉱化合物の高温高圧合成と電気輸送特性研究【JST・京大機械翻訳】

Electric transport properties of Sm-filled CoSb3 skutterudite compounds prepared by HPHT

著者 (6件)： JIANG Yi-Ping (National Laboratory of Superhard Materials, Jilin University) ,  JIA Xiao-Peng (National Laboratory of Superhard Materials, Jilin University) ,  SU Tai-Chao (National Laboratory of Superhard Materials, Jilin University) ,  DONG Nan (National Laboratory of Superhard Materials, Jilin University) ,  DENG Le (National Laboratory of Superhard Materials, Jilin University) ,  MA Hong-An (National Laboratory of Superhard Materials, Jilin University)
資料名： Yuanzi yu Fenzi Wuli Xuebao  (Yuanzi yu Fenzi Wuli Xuebao)
巻： 26  号： 4  ページ： 725-728  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2079A  ISSN： 1000-0364  CODEN： YYFXEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 2-5.0GPAと900Kでの高温高圧法により,SM_XCO_4SB_(12)(X=0.2,0.6,0.8)バルク材料を合成した。室温での電気輸送特性(電気抵抗率,SEEBECK係数,および力率)に及ぼす合成圧力とSM充填率の影響を系統的に研究した。その結果,SM充填XCO化合物SM_XCO_4SB_(12)はN型半導体であることが判明した。異なる圧力下では,SM充填率の増加とともに,SEEBECK係数の絶対値と抵抗率は減少した。2GPA,900Kで合成したSM_(0.8)CO_4SB_(12)化合物の最大出力因子は5.88ΜW/(CM K2)であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  N型半導体 ,  *エレクトロトランスポート ,  力率
準シソーラス用語： 出力因子 ,  充填率 ,  *輸送特性 ,  *高温高圧 ,  *高温高圧合成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Sm ,  skutterudite ,  HPHT ,  TE Materials

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Sm ,  GU ,  鉱 ,  高温高圧合成 ,  輸送特性 ,  研究