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J-GLOBAL ID：201702248243864272   整理番号：17A0399738

光起電力応用のためのシリコンインゴットを成長させるための実験的Kyropoulos法の数値的研究【Powered by NICT】

Numerical investigation of an experimental Kyropoulos process to grow silicon ingots for photovoltaic application

著者 (9件)： Nouri Ah. (SIMaP-EPM laboratory, INP Grenoble Alpes University, France) ,  Nouri Ah. (LPM laboratory, Laghouat University, Algeria) ,  Delannoy Y. (SIMaP-EPM laboratory, INP Grenoble Alpes University, France) ,  Chichignoud G. (SIMaP-EPM laboratory, INP Grenoble Alpes University, France) ,  Chichignoud G. (CNRS, SIMAP, F-38000 Grenoble, France) ,  Lhomond L. (SIMaP-EPM laboratory, INP Grenoble Alpes University, France) ,  Helifa B. (LPM laboratory, Laghouat University, Algeria) ,  Lefkeir IK. (LPM laboratory, Laghouat University, Algeria) ,  Zaidat K. (SIMaP-EPM laboratory, INP Grenoble Alpes University, France)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 460  ページ： 48-58  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンに対するKyropoulos結晶成長シーディングプロセスは完全な炉の3Dモデリングを用いて研究した。プロセスは融液中の水平及び垂直方向温度勾配の制御を改善するための三つの加熱ゾーン(頂部,底部と側)を持っていた;,方形るつぼは,最終的な結晶を再形成する正方形水平断面にした。種子からの結晶成長を実験的にできなかったが,出発配置のモデリングは中心に優勢メルトフローホットメルトをシードすることであることを述べた。播種帯周辺の放射線遮蔽と側面加熱の増加としてセラミック管の添加は溶融流動方向を逆転させる解として数値的にモデル化した。実験炉に適用した解決策を種子からの成長を可能にした。プロセスは対称性損失に敏感であった。結晶優先方向への非対称成長は,シリコンの凝固による放射率の急激な増加と優先成長方向の側に及ぼす対流の局所的減少の間の結合によって説明された。対称成長は,成長の最初の段階の融液表面の頂上の放射冷却を低下させることにより,結晶回転を使用した融液を均質化することによりモデルで得られた。その結果,対称円形結晶は,るつぼとない上方牽引と接触することなく同じ成長条件を用いて実験的に得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 放射線遮蔽 ,  *ケイ素 ,  非対称性 ,  温度勾配 ,  放射冷却 ,  結晶成長 ,  放射率 ,  坩堝 ,  対称性 ,  モデリング ,  *光起電力 ,  均質化 ,  結晶
準シソーラス用語： 結晶回転 ,  融液 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1数値シミュレーション ,  A1放射 ,  A2水熱結晶成長 ,  A2Kyropoulos ,  B1シリコン ,  B2太陽光発電

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光起電力 ,  応用 ,  シリコン ,  インゴット ,  成長 ,  実験 ,  数値 ,  研究