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J-GLOBAL ID：201702248269496167   整理番号：17A0754283

巨大誘電率をもつBaTiO_3 Na_0 5Bi_0 5TiO_3システムのための効果的な最適化戦略と解析【Powered by NICT】

An effective optimization strategy and analysis for BaTiO₃-Na_0.5Bi_0.5TiO₃ system with colossal permittivity

著者 (4件)： Li Lingxia (School of Electronic and Information Engineering and Key Laboratory for Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University 300072, China) ,  Cai Zhaoyang (School of Electronic and Information Engineering and Key Laboratory for Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University 300072, China) ,  Zhang Ning (School of Electronic and Information Engineering and Key Laboratory for Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University 300072, China) ,  Li Jiangteng (School of Electronic and Information Engineering and Key Laboratory for Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University 300072, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 9  ページ： 7271-7277  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaTiO_3 Na_0 5Bi_0 5TiO_3(BT NBT)セラミックにおける巨大誘電率(CP, ε>10~4)挙動を研究したが,これは~10~5までの非常に高い誘電率を示した。試料の誘電特性を周波数範囲20Hz 30MHzにおけるDebye状緩和を示した。それぞれ粒界および粒に位置する二つの異なる分極はCP挙動の原因となり,ニオブのドーピングによって実現した欠陥電荷補償のモデルは誘電率の異常変化の現象を説明するために提案した。欠陥工学を使用して,安定な巨大誘電率(1kHz,室温でε_r=1.3×10~4),高バルク抵抗率(>10~10 Ω cm)と相対的に低い誘電損失(tanδ 0.06)とNbドープBaTiO_3セラミックは55 150°Cの広い温度範囲で得られ,IEA X8R仕様,高容量固体スーパキャパシタでの有望な応用展望を満足した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不純物補償 ,  *誘電率 ,  ドーピング ,  結晶粒界 ,  コンデンサ ,  電気抵抗率 ,  誘電性 ,  ニオブ ,  誘電損失 ,  周波数 ,  セラミック ,  損失正接 ,  緩和現象
準シソーラス用語： スーパーキャパシタ ,  *巨大誘電率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 欠陥 ,  誘電特性 ,  偏光 ,  キャパシタ

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 巨大誘電率 ,  最適化 ,  戦略 ,  解析