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J-GLOBAL ID:201702248306677551   整理番号:17A0395007

抵抗性半導体ホルムアルデヒドセンサの研究進展【JST・京大機械翻訳】

Research progress of resistance-type semiconductor formaldehyde sensors
著者 (5件):
資料名:
巻: 35  号: 12  ページ: 1-5,010  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2884A  ISSN: 2096-2436  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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ホルムアルデヒドは潜在的発癌物質と重要な環境汚染物質である。高感度,簡単なプロセス,簡単な操作,および小型化のため,抵抗型のホルムアルデヒドセンサは研究の焦点になっている。本論文では,抵抗性半導体のホルムアルデヒドセンサのガスセンサと素子構造の2つの側面から分析を行い,国内外の代表的最新の研究成果を研究し,将来の発展方向を展望した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (3件):
分類 (2件):
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分析機器  ,  脂肪族アルデヒド 
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