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J-GLOBAL ID：201702248352231516   整理番号：17A0219038

サブギャップ状態密度を有するナノ結晶質酸化物デバイスのパルスI-V特性

Pulse I-V characterization of a nano-crystalline oxide device with sub-gap density of states

著者 (3件)： KIM Taeho (Korea Univ., Sejong, KOR) ,  HUR Ji-Hyun (Korea Univ., Sejong, KOR) ,  JEON Sanghun (Korea Univ., Sejong, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 21  ページ： 215203,1-7  発行年： 2016年05月27日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜トランジスタ(TFT)の研究分野では,主に,インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物,インジウム-ハフニウム-亜鉛-酸化物,インジウム-スズ酸化物などの機能性アモルファス酸化物半導体を,電気的に活性な半導体層に用いることが主流となりつつある。本報告では,バルク中のサブギャップ密度の状態を有するナノ結晶性酸化物半導体TFTの動的電荷トラッピング特性を提示した。そして,DC測定法の限界を克服するために,サブギャップ状態密度を有する酸化物半導体TFTの電荷トラップ挙動を評価するための高速パルスI-V測定法を導入した。本研究では,金属カチオン濃度を変化させることによって,酸化物半導体中のアクセプタ様の状態密度を調整した。本研究の結果,酸化物半導体TFTにおけるアクセプタのような高い密度は,移動度の過小評価,閾値電圧のシフトおよび臨界トラッピング時定数の減少を含むデバイスの不安定性をもたらすことが見出された。

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  *状態密度 ,  ナノ結晶 ,  *化合物半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  *非晶質半導体 ,  機能材料 ,  キャリア捕獲 ,  パルス特性 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： サブギャップ ,  酸化物半導体 ,  機能性材料 ,  電荷トラッピング ,  I-V特性

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブギャップ ,  状態密度 ,  酸化物 ,  パルス