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J-GLOBAL ID：201702248353474155   整理番号：17A0204752

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ:現状と将来【JST・京大機械翻訳】

Carbon nanotube field-effect transistors: Present and future

著者 (2件)： Liu Lijun (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University) ,  Zhang Zhiyong (Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Department of Electronics, Peking University)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 46  号： 10  ページ： 107305-1-107305-17  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 硅基互補型金属酸化物半導体(COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, CMOS)電界効果トランジスタ技術はすでに14 NM技術ノードに発展し、その極限に達することが予想される。新しい情報デバイスを探すことは、モル法則を継続する必要がある。超小型、高移動度などの顕著な利点があるため、カーボンナノチューブは后摩Erの時代に最もシリコンがトランジスタのチャネルとしてのナノ材料の一つと考えられている。最近20年間の研究により、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタに基づく技術はすでに巨大な進歩を遂げている。本論文では、N型カーボンナノチューブ電界効果トランジスタの分野におけるキー技術を紹介し、N型オーム接触の実現、“ドープ”CMOS技術、自己整合型ゲート構造及びサイズ縮小技術などを含む。また、著者らはカーボンナノチューブトランジスタの大規模材料の調製及びカーボンナノチューブと電極の接触面に存在する問題を分析し、可能な解決案を提案した。これらの結果に基づき,実験データとシミュレーション結果を分析することによって,カーボンナノチューブの将来の開発を予測し,その結果,カーボンナノチューブトランジスタの可能性が大きく,材料とデバイス構造を合理的に最適化することができることを示した。カーボンナノチューブトランジスタは,シリコンベースの半導体に対応する技術的ノードのトランジスタの性能をはるかに上回る可能性があり,それは,ポストの時代における競争力を有する情報デバイスとなる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *トランジスタ ,  最適化 ,  ドーピング ,  半導体 ,  *カーボンナノチューブ ,  ナノ材料 ,  *FET【トランジスタ】 ,  自己整合 ,  ケイ素 ,  Ohm接触
準シソーラス用語： 接触面 ,  CMOS技術 ,  高移動度 ,  超小型 ,  *CNTFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： carbon nanotube ,  field-effect transistor ,  nanoelectronics

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ ,  現状 ,  将来