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J-GLOBAL ID：201702248476145466   整理番号：17A0315839

ZnOの電気的および光学的性質に及ぼすZrドーピングの影響【Powered by NICT】

Effect of Zr doping on the electrical and optical properties of ZnO

著者 (3件)： Hou Qingyu (College of Science, Inner Mongolia University of Technology, 010051 Hohhot, China) ,  Zhao Chunwang (College of Arts and Sciences, Shanghai Maritime University, 201306 Shanghai, China) ,  Xu Zhenchao (College of Science, Inner Mongolia University of Technology, 010051 Hohhot, China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 658  ページ： 336-342  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.02083 0.04167Zrドーピング量のうち,吸収スペクトル分布のZnOドーピング系の実験結果に矛盾する報告がある。しかしこれまでのところ,妥当な理論的説明されていない。この問題を解決するために,密度汎関数理論に基づく一般化勾配近似平面波超ソフト擬ポテンシャルGGA+U法は本論文で利用されていると第一原理は三つの異なるドーピング量,Zn_0.97917Zr_0.02083O,Zn_0.96875Zr_0Al0.03125OとZn_0.95833Zr_0.04167のスーパーセルモデルを構築するために採用した。全てのモデルの幾何学的最適化に基づいて,バンド構造分布,状態分布の密度と吸収スペクトル分布を計算し,計算結果は限られてドーピング量の範囲内で,Zrドーピング量が高いほど,ドーピング系の体積が高いほど,全エネルギーが高いほど,システム安定性が低いほど,より高い形成エネルギーは,より困難なドーピングであることを示した。n型縮退半導体に変換すべてのドーピングシステムを用いて,ドーピング系バンドギャップは広く,吸収スペクトル青方偏移はより顕著である,吸収強度が低いほど,電子有効質量が高いほど,電子濃度が高いほど,電子移動度が低いほど,高い電子伝導率は,ドーピング系伝導率はより顕著であった。計算結果と実験結果は一致した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 平面波 ,  バンドギャップ ,  第一原理 ,  *ジルコニウム ,  全エネルギー ,  青方偏移 ,  吸収スペクトル ,  *酸化亜鉛 ,  有効質量 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 伝導率 ,  縮退半導体 ,  形成エネルギー ,  GGA+U ,  一般化勾配近似 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Zrドーピング ,  ZnO ,  電気的および光学的性質 ,  第一原理計算

分類 (4件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分析機器  (CC02020S) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  物理化学一般  (CB01010X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  光学的性質 ,  Zr ,  ドーピング