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J-GLOBAL ID：201702248536952970   整理番号：17A0399709

Zn前駆体の燐化によるZn3P2膜の配向【Powered by NICT】

Orientation of Zn 3 P 2 films via phosphidation of Zn precursors

著者 (2件)： Katsube Ryoji (Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University, Yoshida Honmachi, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan) ,  Nose Yoshitaro (Department of Materials Science and Engineering, Kyoto University, Yoshida Honmachi, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 459  ページ： 95-99  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽吸収体の配向は,薄膜太陽電池の高効率を達成するための重要な因子である。低コストで高効率太陽電池の有望な吸収体であるZnの3P2の場合,(110)/(001)配向は,以前の研究で報告されているのみであった。は350°Cで(0001)配向したZn膜のリン化により(101)配向Zn3P2膜を調製した。Znのリン化機構は部分的に反応した試料のSTEM観測とZnおよびZnの3P2の結晶構造の間の関係を考慮して議論した。(0001)-配向したZnは,ZnおよびZnの3P2間の原子配列の類似性に起因して,(101)配向Zn3P2の核形成に導くことを明らかにした。(101)-配向したZnの3P2膜の電気抵抗率は(110)/(001)配向膜のそれよりも低く,このことは以前の研究で成長過程へのリン化技術の利点である。本研究の結果は,十分な導電性Znの3P2膜は結晶粒の方位を制御することにより得ることができ,吸収体材料におけるミクロ組織制御のための指針を提供することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶構造 ,  電気抵抗率 ,  結晶粒 ,  太陽 ,  リン化物 ,  類似性 ,  吸収体 ,  太陽電池 ,  *亜鉛 ,  多結晶 ,  核形成 ,  導電性
準シソーラス用語： 組織制御 ,  高効率 ,  薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A3多結晶蒸着 ,  B1りん化物 ,  B2半導性材料 ,  B3太陽電池

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Zn ,  前駆体 ,  燐 ,  配向