負イオン源中のセシウムに替わる解決策  H<sub>2</sub>/D<sub>2</sub>プラズマ中のダイヤモンド表面における負イオン表面生成の研究

CARTRY Gilles; KOGUT Dmitry; ACHKASOV Kostiantyn; LAYET Jean-Marc; FARLEY Thomas; FARLEY Thomas; GICQUEL Alix; ACHARD Jocelyn; BRINZA Ovidiu; BIEBER Thomas; KHEMLICHE Hocine; RONCIN Philippe; SIMONIN Alain

文献

J-GLOBAL ID：201702248818351344 整理番号：17A0385590

負イオン源中のセシウムに替わる解決策 H₂/D₂プラズマ中のダイヤモンド表面における負イオン表面生成の研究

Alternative solutions to caesium in negative-ion sources: a study of negative-ion surface production on diamond in H₂/D₂ plasmas

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資料名：
巻： 19 号： Feb ページ： ROMBUNNO.025010 (WEB ONLY) 発行年： 2017年02月
JST資料番号： U7017A ISSN： 1367-2630 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本論文では,低圧H₂/D₂プラズマ中のダイヤモンド上のH^-/D^-負イオン表面生成について述べる。プラズマ中に置いた試料には,プラズマ電位に対して負にバイアスを印加する。試料に正イオンが衝突すると一部は負イオンが形成され,試料前面に配置した質量分析器によりその質量とエネルギー応じて検出される。負イオン表面生成を調べ,負イオンのエネルギーと角度の分布関数を求めるために開発した実験方法を初めて示す。ナノ結晶から単結晶層にわたるホウ素ドープ及び真性の種々のダイヤモンド材料を調べ,グラファイトと比較した。得られた負イオン収量を,曝露時間,正イオン衝突エネルギーを決める試料バイアス,試料表面温度のような種々の実験パラメータの関数として示す。これらの実験結果から,ダイヤモンド材料の電子的特性のうちで,負電子親和性は負イオン表面生成に適していると思われる。しかし,負イオン収量はプラズマ誘起欠陥密度とともに低下する。(翻訳著者抄録)

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プラズマ生成・加熱 , 核融合装置

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負イオン源中のセシウムに替わる解決策 H2/D2プラズマ中のダイヤモンド表面における負イオン表面生成の研究

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