文献

J-GLOBAL ID：201702252817250235   整理番号：17A0345493

幾何学的位相解析に基づくNB/SI{111}界面歪研究【JST・京大機械翻訳】

Study on interface strain of Nb /Si{ 111} based on geometric phase analysis

著者 (5件)： Li Xu (Division of Nano Metrology and Materials Measurement,National Institute of Metrology) ,  Ren Lingling (Division of Nano Metrology and Materials Measurement,National Institute of Metrology) ,  Gao Sitian (Division of Nano Metrology and Materials Measurement,National Institute of Metrology) ,  Zhou Liqi (Division of Nano Metrology and Materials Measurement,National Institute of Metrology) ,  Tao Xingfu (Division of Nano Metrology and Materials Measurement,National Institute of Metrology)
資料名： Dianzi Xianwei Xuebao  (Dianzi Xianwei Xuebao)
巻： 35  号： 6  ページ： 467-474  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1469A  ISSN： 1000-6281  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)イメージングと幾何学的位相解析を用いて,異なるスパッタリング圧力で調製したニオブ薄膜/ケイ素基板の界面微細構造と歪状態を研究した。研究結果は以下を示す。ニオブ薄膜の表面は花弁状のミクロ組織からなり、ラメラ組織はランダムに分布し、明らかな特徴配向がない。スパッタリング圧力の増加とともに,層のサイズは増加し,そして,密度は減少し,そして,多くの孔が現れ,そして,ニオブおよびケイ素の混合層は,ニオブ薄膜およびケイ素基板の間に生じた。スパッタリング圧力の増加とともに,シリコン基板の歪の大きさと方向は異なり,スパッタリング圧力はシリコンの歪状態に大きな影響を及ぼした。ケイ素層の歪は主に界面混合層とNi薄膜層の作用に由来し、混合ケイ素原子とケイ素原子が互いに混在し、大量な構造欠陥が存在し、固有応力が発生し、それによってケイ素層中にひずみが生じる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 混合層 ,  スパッタリング ,  ニオブ ,  *界面 ,  ニッケル ,  薄膜 ,  層状組織 ,  画像処理 ,  ケイ素 ,  微細構造
準シソーラス用語： 構造欠陥 ,  シリコンウエハ ,  HRTEM ,  *幾何学的位相 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： high-resolution imaging ,  geometric phase analysis ,  Nb thin film ,  Si ,  mixed layer ,  strain

分類 (2件)： 界面化学一般  (CB12010J) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 幾何学的位相 ,  解析 ,  Nb ,  Si ,  界面 ,  歪 ,  研究