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J-GLOBAL ID：201702252951676880   整理番号：17A0056398

低雑音応用のための新しいInGaAs/InAlAs/InP pHEMTの線形モデリング【Powered by NICT】

Linear modelling of novel InGaAs/InAlAs/InP pHEMT for low noise applications

著者 (9件)： En A. Y. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Ahmad N. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Isa M. Mohamad (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Isa Siti S. Mat (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Ramli Muhammad M. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Khalid N. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Nor N. I. M. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Kasjoo S. R. (School of Microelectronic Engineering, Pauh Putra Campus, University Malaysia Perlis (UniMAP), 02600 Arau, Perlis, Malaysia) ,  Missous M. (School of Electrical and Electronic Engineering, University of Manchester, M13 9PL, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICED  ページ： 18-22  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低雑音応用のための新しいInGaAs/InAlAs/InP pHEMTの線形モデリングは,高速・低雑音条件で動作するであろう将来トランジスタに重要である。間にヘテロ接合を形成するために新しいpHEMTは異なる格子定数,例えばInGaAsおよびInAlAsと共に二つの異なる材料をサンドイッチして構築した。しかし,InPはpHEMTの基質ベースであることを利用した。モデリングプロセスでは,外因性および内因性パラメータを抽出する必要がある。簡単に言えば,実際のチップ上に作製したする前に高精度トランジスタモデル化は,設計者は,回路の実出力を予測することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高速度 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  基質 ,  トランジスタ ,  *線形性 ,  ヘテロ接合 ,  *モデリング ,  トランジスタモデル ,  格子定数 ,  *リン化インジウム ,  高精度 ,  内因性 ,  *ヒ化インジウムアルミニウム
準シソーラス用語： *PHEMT ,  *低雑音 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低雑音 ,  応用 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  InP ,  PHEMT ,  線形 ,  モデリング