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J-GLOBAL ID:201702253484019732   整理番号:17A0169219

ZNOの最小光学バンドギャップと吸収スペクトルに及ぼすCRドーピングの影響を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Cr-doping on the optical bandgap andabsorption spectra of ZnO
著者 (3件):
資料名:
巻: 47  号:ページ: 9106-9111  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2095A  ISSN: 1001-9731  CODEN: GOCAEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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CRドープZNOのモル比が0.0313~0.0625の範囲にある場合,ドーピング系の最小光学バンドギャップ幅と吸収スペクトル分布はCRドーピング濃度の変化により2種類の逆の実験結果を示した。本問題を解決するために,密度汎関数理論(DFT)フレームワークにおける一般化勾配近似(GGA+U)平面波擬ポテンシャル法を用いて,電子間の交換相関エネルギーをPBE関数の計算スキームによって記述した。非ドープZNOと3種の異なる濃度のCRドープZNOスーパセルモデルについてバンド構造,状態密度,差分電荷密度,布居値および吸収スペクトルの計算を行った。結果は,CRドーピング量が0.0313~0.0625の範囲にあるとき,ドーピング量が増加すると,格子定数と体積が増加し,全エネルギーと形成エネルギーが減少し,構造がより安定し,ドーピングがより容易になり,最小光学バンドギャップが増加し,吸収スペクトルが著しく青方偏移することを示した。計算結果は実験結果と一致し,合理的な問題を説明した。これは,CRドープZNOの短波長光学素子の調製のための理論的指針を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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著者キーワード (4件):
分類 (1件):
分類
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半導体結晶の電子構造 
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