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J-GLOBAL ID:201702253645985508   整理番号:17A0794565

40nm CMOSにおける帯域幅のSNDR/SNR/DRと50MHzの74.4/75.8/76.8dBの達成43mW MASH2 2CTΣΔ変調器【Powered by NICT】

A 43-mW MASH 2-2 CT $Σ Δ$ Modulator Attaining 74.4/75.8/76.8 dB of SNDR/SNR/DR and 50 MHz of BW in 40-nm CMOS
著者 (7件):
資料名:
巻: 52  号:ページ: 448-459  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,オンチップRC時定数較正回路,多重フィードフォワード段間経路,および完全に統合された雑音キャンセルフィルタ(NCF)を有する多段雑音成形連続時間シグマ-デルタ変調器(CT Σ ΔM)を提案した。コア変調器アーキテクチャは二単一ループ二次CTΣΔM段階のカスケード,積分器能動RCループフィルタ,電流ステアリングフィードバックディジタル-アナログ変換器,および4ビットフラッシュ量子化器から構成されている。オンチップRC時定数キャリブレーション回路と高利得多段演算増幅器はプロセス変動による量子化雑音漏れを緩和するために実現した。多重フィードフォワード段間経路を紹介した1)直流零点を持つ四次雑音伝達関数を合成2)NCFの設計を簡単にするおよび3)第二段階積分器出力における信号変動を低減した。40nm CMOSに集積した完全,プロトタイプチップは1.1/1.15/2.5V電源からの消費電力(P)の43mWのサンプリング周波数の1GHzで 74.4dB信号対雑音歪比(SNDR),信号対雑音比75.8dB,および76.8dBの50.3MHz帯域幅(BW)のダイナミックレンジを達成した。外部ソフトウェアキャリブレーションを必要とせず,最小帯域外信号伝達関数ピークを有していた。FOM=SNDR×log_10(BW/P)として定義した性能指数(FOM)は165.1dBであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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半導体集積回路 
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