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J-GLOBAL ID：201702253800521651   整理番号：17A0135157

黒リン-MoS₂接合とイオンゲル誘電体とを集積したトンネル電界効果トランジスタ

Tunneling field effect transistor integrated with black phosphorus-MoS₂ junction and ion gel dielectric

著者 (5件)： Xu Jiao (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 440-746, South Korea) ,  Jia Jingyuan (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 440-746, South Korea) ,  Lai Shen (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 440-746, South Korea) ,  Ju Jaehyuk (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 440-746, South Korea) ,  Lee Sungjoo (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 440-746, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 3  ページ： 033103-033103-4  発行年： 2017年01月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  黒リン ,  硫化モリブデン ,  ヘテロ接合 ,  ゲル ,  固体誘電体
準シソーラス用語： *トンネル電界効果トランジスタ ,  二硫化モリブデン ,  イオンゲル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 黒リン ,  MoS2 ,  イオンゲル ,  誘電体 ,  集積 ,  トンネル電界効果トランジスタ