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J-GLOBAL ID：201702254055463303   整理番号：17A0759362

12環縮合Twistheteroaceneの合成,物理的性質及び記憶装置への応用【Powered by NICT】

Synthesis, Physical Properties and Memory Device Application of a Twelve-Ring Fused Twistheteroacene

著者 (8件)： Duan Jingdan (College of Chemistry and Environmental Science, Hebei University, No. 180, Wusi East Road, Baoding, 071002, P.R. China) ,  Gu Pei-yang (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, 639798, Singapore) ,  Xiao Jinchong (College of Chemistry and Environmental Science, Hebei University, No. 180, Wusi East Road, Baoding, 071002, P.R. China) ,  Shen Xingxing (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, CAS Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Liu Xiaoyu (College of Chemistry and Environmental Science, Hebei University, No. 180, Wusi East Road, Baoding, 071002, P.R. China) ,  Yi Yuanping (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, CAS Key Laboratory of Organic Solids, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, P. R. China) ,  Zhang Qichun (School of Materials Science and Engineering, Nanyang Technological University, Singapore, 639798, Singapore) ,  Zhang Qichun (Division of Chemistry and Biological Chemistry, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore, 637371, Singapore)
資料名： Chemistry. Asian Journal  (Chemistry. Asian Journal)
巻： 12  号： 6  ページ： 638-642  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1856A  ISSN： 1861-4728  CODEN： CAAJBI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度メモリデバイスのための新しい有機共役材料の開発が強く望まれている。本研究では,新規なドナー-アクセプタ型十二環縮合twistheteroacene,2,7,19,24-テトラ-tert-ブチル-13,30-ジドデシル-9,17,26,34-テトラフェニルベンゾ[8′,9′]triphenyleno[2′,3′:7,8]ジベンゾ[b,e][1,4]dioxino[1,2,3,4-lmn]ジベンゾ[6′,7′:10′,11′]tetraceno[2′,3′:5,6][1,4]dioxino[2,3-f][3,8]phenanthroline-12,14,29,31(13H,30H)-テトラオン(DPyN)を合成し,特性化した。は高い熱安定性を示し,510と538nmを中心とする広い吸収バンドを有し,有機溶媒中で赤色蛍光を放出する。アクティブ素子としてDPyNと溶液処理したメモリ素子は,オン/オフ電流比10~3.46:1および 2.44Vのしきい値電圧をもつ優れたメモリ性能を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  キャラクタリゼーション ,  蛍光 ,  共役 ,  熱安定性 ,  *縮合反応 ,  化学合成 ,  ドナー ,  吸収バンド ,  *記憶装置 ,  アクセプタ ,  有機溶媒
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  オフ電流 ,  溶液処理 ,  能動素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ドナー-アクセプタ系 ,  縮合環系 ,  メモリ素子 ,  光学的性質 ,  ねじれヘテロアセン

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  記憶装置  (JC04060F) ,  ピラジン  (CF07104N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 縮合 ,  物理的性質 ,  記憶装置 ,  応用